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第三代半导体材料氮化镓的产业化瓶颈与突破

一、引言

（一）第三代半导体与氮化镓的核心定位

半导体材料的发展经历了三代迭代，第一代以硅、锗为代表，支撑了传统集成电路和低端电子产业的发展；第二代以砷化镓、磷化铟为代表，主要应用于光电子和射频通信领域；第三代则是以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体材料，凭借更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更快的电子迁移率以及更好的耐高温、抗辐射性能，成为支撑新一代信息技术、新能源等战略性新兴产业的核心基础材料。在众多第三代半导体材料中，氮化镓是产业化成熟度较高、应用场景较广的品类之一，尤其在中低压功率器件、高频射频器件领域具有不可替代的性能优势（郝跃，2021）。比如在消费电子快充领域，氮化镓充电器能在同等功率下将体积缩小近一半，能量转换效率提升百分之十以上；在5G通信领域，氮化镓射频器件的输出功率和工作频率远高于传统砷化镓器件，能够更好地满足5G基站的高频、高功率需求。

（二）氮化镓产业的发展现状与产业化命题

当前全球氮化镓产业正处于从实验室研发向大规模产业化过渡的关键阶段，市场规模保持快速增长态势。美、日、欧等发达国家和地区起步较早，在高端衬底材料、核心器件设计等领域占据先发优势；我国近年来持续加大对第三代半导体产业的支持力度，产业布局不断完善，已经形成涵盖衬底制备、外延生长、器件设计、封装测试及终端应用的完整产业链雏形，市场增速高于全球平均水平（中