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晶圆厂面试题目及答案

一、工艺工程（PE）面试题（总分：40分）

1.请简述化学机械抛光（CMP）的基本原理及其在晶圆制造中的主要作用。

答案：CMP的基本原理是利用机械研磨与化学腐蚀的协同作用去除晶圆表面的材料。在晶圆制造中，CMP主要用于平坦化处理，消除前道工序（如光刻、蚀刻）留下的台阶，为后续光刻工艺提供平整的基底，从而提高图形转移的精度和良率。

2.在光刻工艺中，什么是“关键尺寸”（CD）？影响CD控制的主要因素有哪些？

答案：关键尺寸（CD）是指光刻图形中最重要的特征尺寸，通常指线宽或间距。影响CD控制的主要因素包括：光罩（Reticle）的尺寸精度、曝光剂量、焦距、光刻胶的厚度与特性、以及显影工艺参数等。

3.请解释各向异性蚀刻与各向同性蚀刻的区别，并说明在晶圆制造中为何需要各向异性蚀刻。

答案：各向同性蚀刻在各个方向上的蚀刻速率相同；而各向异性蚀刻主要在垂直方向上进行，侧向蚀刻极小。晶圆制造中需要各向异性蚀刻（如干法刻蚀）是为了精确地定义图形结构，避免侧向腐蚀导致图形模糊或短路，从而实现高精度的微纳加工。

4.简述RCA清洗标准流程中，SC-1和SC-2清洗液的主要成分及其去除污染物的机理。

答案：SC-1（NH4OH/H2O2/H2O）主要去除有机物、颗粒和部分金属杂质，利用氧化剂使有机物分解，利用氨水调节pH值使颗粒带电而悬浮。SC-2（HCl/H2O2/