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功率半导体器件的碳化硅材料制备工艺突破

一、碳化硅功率半导体的产业价值与工艺攻坚背景

功率半导体是电力电子系统中实现电能转换与控制的核心部件，被称为电能变换的“心脏”，广泛应用于新能源发电、电动汽车、轨道交通、工业变频、特高压输电等关乎能源转型与产业升级的核心领域。长期以来，硅基功率器件支撑了电力电子产业的发展，但随着应用场景对器件耐压等级、转换效率、工作温度要求的不断提升，硅材料的物理性能极限逐渐显现，其临界击穿电场、热导率等本征参数决定了硅基功率器件的损耗很难进一步降低，工作温度通常无法超过一百五十摄氏度，已经难以满足下一代高功率密度电力电子系统的需求。

碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表性材料，临界击穿电场是硅材料的十倍，热导率是硅的三倍，电子饱和漂移速度是硅的两倍，基于碳化硅制备的功率器件理论上可将电力转换过程中的损耗降低一半以上，最高工作温度可达六百摄氏度，是支撑下一代高功率密度、高效率电力电子系统的核心材料（陈治明，2018）。但在很长一段时间里，碳化硅材料的制备面临极大的技术挑战：碳化硅的升华温度接近两千八百摄氏度，且存在两百多种晶体结构相近的同素异构体，生长过程中极易出现多型夹杂；材料硬度极高，仅低于金刚石，加工难度远超硅材料；晶体生长过程中容易产生各类微管、位错、点缺陷，直接导致器件失效；杂质的离化能高，精准掺杂难度大。这些难题曾导致高品质碳化硅材料的制备技术长期