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- 2026-11-15 发布于湖北
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相变存储器;1stPart;什么是存储器?;存储器的分类:;半导体存储器的分类:;FlashMemory;1989年NANDFlash;NORFlash与NANDFlash的工作方式;特性NORFlashNANDFlash;DRAM;DRAM单元结构;SRAM;SRAM单元结构;PCRAM;StanfordOvshinsky;Amorphous;;相变存储器应用的新空间——全光存储;有人说等待是一种美德…;2stPart;Ge2Sb2Te5(GST)相变材料;相变机理;新型相变材料;参考文献;吱…吱…进度已完成90%…;3rdPart;Why?;Why?;Mushrooomcell;manyinnovativedevicestructureshavebeenexploredtoreducetheeffectivebottomelectrodecontact(BEC)/GSTinterfacetothesublithographicregime.;Edge-contact-typecell;μTrenchstructure;Cross-spacercell;Porestructure;Confinedcell;theW
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