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BiCMOS带隙基准源的设计.pdf
第 6 期 微 处 理 机 No. 6
2006年 12 月 M ICROPROCESSOR S D ec. , 2006
B iCMO S带隙基准源的设计
范正国 ,戴庆元 ,褚洪涛
(上海交通大学微纳米科学技术研究院 ,上海 200030)
μ
摘 要 :设计了一款具有高稳定性 ,低功耗的带隙基准源 ,采用 1. 5 m B iCMO S工艺制造 ,在
- 40 ℃～100 ℃它们的平均温度系数为 29 ×10 - 6 / ℃, 电源 电压抑制 比为 60dB 。在 电源 电压为
μ
3. 7V的情况下工作功耗为 144 W ,低功耗高精度的特性使它非常适合在混合信号设计的 IC 中应
用 。
关键词 :带隙基准源 ;温度系数 ; B iCMO S
中图分类号 : TN 433 文献标识码 : A 文章编号 : 1002 - 2279 (2006) 06 - 0007 - 02
D e s ign a B iCMO S B a n dgap Vo lta ge R e fe re n ce
FAN Zheng - guo, DA I Q ing - yuan , CHU Hong - tao
(R esea rch Ins titu te of M icro/ nano S cience and Technology S hang ha i J iaotong Un ivers ity, S hang ha i 200030, Ch ina)
A b stract:D e sign a bandgap vo ltage reference wh ich is h igh stab ility and low power. They can be
- 6
μ
fab ricated in 1. 5 m B iCMO S p roce ss, the temp eratu re coefficien t is 29 ×10 / ℃, and the PSRR is
μ
60dB. W ith the3. 7V single supp ly vo ltage, the power con sump tion is on ly 144 W 。Due to the charac
teristic s of the low power con sump tion and h igh p recision , they are very su itab le for m ixed - signal IC s.
Key words:B andgap vo ltage reference; Temp era
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