第五章 固溶体半导体材料.pptVIP

第五章 固溶体半导体材料 李斌斌 5.1 固溶体的概念 5.2 SiGe固溶体 5.3 应用 5.1 固溶体 凡在固体条件下，一种组分（溶剂）内“溶解”了其它组分（溶质）而形成的单一、均匀的晶态固体称为固溶体。 固溶体半导体材料是某些元素半导体或者化合物半导体相互溶解而形成的一种具有半导体性质的固态溶液材料，又称为混晶半导体或者合金半导体。 5.1.1 固溶体的基本性质 半导体的重要参数，如晶格常数和带隙等随组分变化而发生连续变化。 因而可以通过对其组分的控制来调节材料的基本性质 采用固溶体原理来制备或开发各种新的材料，满足科技的发展对材料性能提出的特殊性要求 晶格常数－－Vegard定律 带隙 5.1.2 固溶体的分类 按溶质质点在溶剂晶格中的位置来划分 按溶质在溶剂中的溶解度分类 根据固溶体在相图中的位置划分 根据各组元分布的规律性划分 1）按溶质质点在溶剂晶格中的位置 ① 置换型固溶体 ② 间隙型固溶体 ① 置换型固溶体：取代型 MgO-CoO、MgO-CaO、PbTiO3-PbZrO3、Al2O3-Cr2O3 Cu-Zn系 ? 和 ? 固溶体 ② 间隙型固溶体：填隙型 材料阳离子进入阴离子所形成的间隙中并不容易 阴离子填隙型 —— 更加困难 H、B、C、N等元素形成的固溶体 2）按溶质在溶剂中的溶解度分类 ① 连续固溶体 ② 有限固溶体 ① 连续固溶体 溶质和溶剂可以按任意比例相互固溶所生成的固溶体 ② 有限固溶体 溶质只能以一定的溶解限度（固溶度）溶入溶剂中，低于固溶度条件下生成的固溶体是单相的，一旦溶质超出这一限度即出现第二相。 3）根据固溶体在相图中的位置划分 端部固溶体： 位于相图的端部，其成分范围包括纯组元，亦称初级固溶体 中间固溶体： 它位于相图中间，任一组元的浓度 0~100%，亦称二次固溶体 4）根据各组元分布的规律性划分 ① 无序固溶体： 各组元质点分布是随机的、无规则的。 ② 有序固溶体： 各组元质点分布分别按照各自的布拉维点阵进行排列，整个固溶体就是由各组元的分点阵组成的复杂点阵，称超点阵或超结构。 在理论的指导下，通过对实践经验的积累总结，提出了一些重要的影响因素： （1）质点尺寸因素 （2）晶体结构类型 （3）电价因素 1）质点尺寸因素－－决定性因素 从晶体结构的稳定观点来看，相互替代的质点尺寸愈接近，则固溶体愈稳定，其固溶量将愈大。 经验证明 当? 15%时，溶质和溶剂之间有可能形成连续固溶体； 当? =15~30%之间时，溶质和溶剂之间可以形成有限固溶体； 当? 30%时，溶质和溶剂之间不生成固溶体，仅在高温下有少量固溶。 2）晶体结构类型 连续固溶体必要条件：具有相同的晶体结构（不是充分条件） 晶体结构不同，最多只能形成有限型固溶体（满足尺寸条件前提下） 3）电价因素 连续固溶体必要条件：原子价（或离子价）相同；多组元复合取代总价数相等，电中性。不是充分条件。 如果价态不同，则最多只能生成有限固溶体（满足尺寸条件前提下） 电负性相近，有利于固溶体的生成 电负性差别大，倾向于生成化合物 5.2 SiGe固溶体 晶体结构 晶格常数 晶格失配率 例子： 假设有一种半导体材料，晶格常数a＝0.5555 nm，如果以SiGe固溶体为衬底，请问SiGe的最佳组分是多少？ 赝晶生长－－共度生长 临界厚度－－－应力没有释放 产生位错和形成表面起伏是释放SiGe失配应力的两种方式。 当Ge组分较低时（ｘ＜０.２），通过产生位错来释放失配引起的应力； 当Ge组分介于０.２～０.６之间时将会导致形成台阶，诱导生成均匀的３Ｄ岛； 当Ge组分大于０.６时，遵循SK模式三维生长，利于形成表面起伏来释放失配引起的应力。 可以用来生长高组分表面起伏的多量子阱 电学性质－－禁带宽度 带隙和温度的关系 本征载流子浓度 5.3 为什么研究SiGe 在微电子领域Si几乎有完全取代Ge的趋势 Ge固有优势：载流子的迁移率比硅高 载流子迁移率是决定半导体器件性能的一个重要参数 双极型晶体管 高的迁移率可以缩短载流子渡跃基区的时间，提高工作的频率、速度和放大性能 场效应晶体管 高的迁移率可以增大器件的驱动能力，提高工作的频率、速度和跨导。 载流子迁移率的影响因素 载流子的迁移率主要取决于载流子的有效质量和散射几率的大小 思考 如何改变有效质量？？ 如何改变散射几率？？ 5.4 SiGe固溶体的应用 新型硅基太阳能电池 热电材料 光的基本性质 新型硅基太阳能电池 太阳能电池所利用的太阳光光谱,它在可见光部分的能量不到50%。 要想提高电池的效率,把其光谱