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(VLSI)大规模集成电路制造技术 重庆邮电学院 杨虹 目录 绪论 第一章 衬底制备 第二章 外延 第三章 氧化 第四章 光刻 第五章 制版 第六章 扩散 第七章 隔离 第八章 电极制备及封装 绪 论 一、概念 集成电路（Integrated Circuits）――就其本质来说，是将晶体管、二极管等有源元件和电阻器、电容器等无源元件按一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片上，完成特定的电路或系统的功能。 二、集成电路技术的发展 早在第二次世界大战期间，在陶瓷基片上制成的电阻阵列应是第一次集成化电路。 1948年，晶体管的发明产生了一次质的飞跃。此后不久，就出现了锗集成电路。 集成电路是在平面晶体管发明以后，伴随着其它技术的发展才真正地发展起来。第一个有重要意义的突破是在硅片上热生长具有优良电绝缘性能、又能掩蔽杂质扩散的二氧化硅层。 50年代中期以后，又将印刷照相业中的光刻技术和透镜制造业中的薄膜蒸发技术引进到半导体工业中来，它们和扩散、外延等技术相结合，奠定了一整套集成电路制造工艺技术。50年代后期，集成电路的主要技术已基本形成。 1958年，制成了第一只单片集成电路。与以往电子装备相比，在缩小体积，降低成本，提高可靠性，降低功耗，提高速度，提高集成度等方面都体现了巨大的优越性。此后20年，集成电路进入“黄金”时期，发展速度惊人。集成度几乎每年翻一翻。 Moore定律 集成电路按规模分类： 1.小规模集成电路（SSI）：集成度在100元件或10个逻辑门以下，50年代末期。 2.中规模集成电路（MSI）：集成度在100－1000个元件或10－100个逻辑门，60年代。 3.大规模集成电路（LSI）：集成度1000个元件或100个逻辑门以上，70年代。 4.超大规模集成电路（VLSI）：集成度105以上，70年代后期。 5.特大规模集成电路（ULSI－Ultra Large Scale Integrated Circuits）：集成度106以上，目前。 三. 集成电路制造过程 第一章????? 衬 底 制 备 将用作器件衬底的单晶材料，经切片、研磨和抛光等工序，获得具有一定厚度和晶向、表面高度平整、光洁、没有损伤层的单晶薄片。这种单晶材料的加工过程称为衬底制备。 一． 衬底材料 衬底材料主要有三种类型： 1、? 元素半导体（Si、Ge） 2、? 化合物半导体（GaAs） 3. 绝缘体（蓝宝石、尖晶石） 二、切片 采用切片机将单晶锭切割成园片。 集成电路芯片的显微照片 集成电路的内部单元(俯视图) 三、???? 研磨（磨片） 切片后，表面存在一定程度（约20微米）的机械损伤层和表面形变，单晶片研磨就是除去切片时所造成的表面损伤和表面形变，使单晶片表面平整、光洁，并达到器件生产所要求的厚度。 研磨是利用大量硬度比被加工表面大的，具有复杂棱角的磨料，在外力的推动下，对被加工表面进行运动形式复杂的一种机械加工。 四、??? 抛光 抛光是一种表面微细加工技术。按作用可分为三种：机械抛光、化学抛光及化学机械抛光。 1、? 机械抛光：与磨片一样，只是采用粒度更小的抛光料，同时抛光盘上覆盖抛光布（丝绒、海军呢或毛的确良等）进行软研磨。 特点：平整度高，但功效低，材料消耗大，在表面留有与抛光料粒度相当的损伤层。 2、? 化学抛光：利用化学作用进行表面加工的一种方式。分为液相抛光和汽相抛光。 特点：液相（化学溶液）抛光速度快，表面光洁度高，没有残留损伤层，但平整度差。 汽相（腐蚀气体）抛光可以进一步消除抛光表面的残留损伤和应力。 3、? 化学机械抛光：是利用化学腐蚀与机械作用相结合的表面精细加工技术。 特点：将化学抛光和机械抛光巧妙地结合起来，发挥各自的优点，克服各自的缺点。因而能获得质量更高的抛光面。 对Si的化学机械抛光，目前主要有铬离子抛光，二氧化硅化学机械抛光和铜离子抛光，其中以二氧化硅化学机械抛光效果最好，在生产中占主导地位。 二氧化硅化学机械抛光是利用NaOH对硅进行腐蚀，使硅片表面的硅原子形成硅酸盐： Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2↑ Si+2NaOH+2H2O→Na2SiO4+3H2↑ 通过微细柔软的二氧化硅微粒对硅片表面产生摩擦，使硅酸盐不断进入抛光液。 沟道长度为0.15微米的晶体管 第二章 外 延 ?外延就是在一定的条件下，在一块经过仔细制备的单晶衬底片上，沿其原来的结晶方向，生长一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构完整性都符合要求的新单晶层。 此单晶层叫外延层。 同质外延： 生长的外延层与衬底材料相同。例如在硅衬底上外延硅，在GaAs衬底上外延