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模拟电子技术康第五版第五章第一节.ppt
各种类型MOS管的特性曲线 各种类型MOS管的特性曲线 * 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 (耗尽型) FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在 增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道 场效应管的分类: 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构(N沟道) L :沟道长度 W :沟道宽度 tox :绝缘层厚度 通常 W L 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构(N沟道) 符号 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 (1)vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道, d、s间加电压时,也无电流产生。 当0vGS VT 时 产生电场,但未形成导电沟道(感生沟道),d、s间加电压后,没有电流产生。 当vGS≥VT 时 在电场作用下产生导电沟道,d、s间加电压后,将有电流产生。 vGS越大,导电沟道越厚 VT 称为开启电压 2. 工作原理 (2)vDS对沟道的控制作用 ?靠近漏极d处的电位升高 ?电场强度减小 ?沟道变薄 当vGS一定(vGS VT )时, vDS? ? iD? ?沟道电位梯度? 整个沟道呈楔形分布 当vGS一定(vGS VT )时, vDS? ? iD? ?沟道电位梯度? 当vDS增加到使vGD=VT 时,在紧靠漏极处出现预夹断。 2. 工作原理 (2)vDS对沟道的控制作用 在预夹断处:vGD=vGS-vDS =VT 预夹断后,vDS? ?夹断区延长 ?沟道电阻? ? iD基本不变 2. 工作原理 (2)vDS对沟道的控制作用 2. 工作原理 (3) vDS和vGS同时作用时 vDS一定,vGS变化时 给定一个vGS ,就有一条不同的 iD – vDS 曲线。 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ① 截止区 当vGS<VT时,导电沟道尚未形成,iD=0,为截止工作状态。 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 vDS≤(vGS-VT) 由于vDS较小,可近似为 rdso是一个受vGS控制的可变电阻 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 ?n :反型层中电子迁移率 Cox :栅极(与衬底间)氧化层单位面积电容 本征电导因子 其中 Kn为电导常数,单位:mA/V2 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ③ 饱和区 (恒流区又称放大区) vGS VT ,且vDS≥(vGS-VT) 是vGS=2VT时的iD V-I 特性: 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 (2)转移特性 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理简述(N沟道) 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作,而且基本上无栅流 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 (N沟道增强型) 5.1.3 P沟道MOSFET 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 *
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