光学邻近效应矫正(OPC)技术及其应用1.pdfVIP

中国科学E辑：信息科学 2007年第37卷第12期：1607—1619 《中国科学杂志社 http：／／www．scichina．tom SCIENCEINCHINAPRESS 光学邻近效应矫正(OPC)技术及其应用 蔡懿慈4 周 强 洪先龙石 蕊 王 呖 (清华大学计算机科学与技术系，北京100084) 摘要 随着集成电路设计和制造进入超深亚微米(VDSM)阶段，特征尺寸已经 接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长，因此光刻过程中，由于光的衍射和 干涉现象，实际硅片上得到的光刻图形与掩膜版图形之间存在一定的变形和偏 差，光刻中的这种误差直接影响电路性能和生产成品率．为尽量消除这种误差， 一种有效的方法是光学邻近效应矫E_(oPc)方法．目前由于OPC矫正处理时间过 长，产生的文件大小呈指数级增长，使掩膜版的制造成本成倍地增加．文中首先 针对OPC矫正技术进行了深入研究，提出了具有图形分类预处理功能的自适应 OPC矫正技术，将芯片图形按其对性能的影响分为关键图形与一般图形