光学邻近效应矫正(OPC)技术及其应用1.pdfVIP

中国科学E辑：信息科学 2007年第37卷第12期：1607—1619 《中国科学杂志社 http：／／www．scichina．tom SCIENCEINCHINAPRESS 光学邻近效应矫正(OPC)技术及其应用 蔡懿慈4 周 强 洪先龙石 蕊 王 呖 (清华大学计算机科学与技术系，北京100084) 摘要 随着集成电路设计和制造进入超深亚微米(VDSM)阶段，特征尺寸已经 接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长，因此光刻过程中，由于光的衍射和 干涉现象，实际硅片上得到的光刻图形与掩膜版图形之间存在一定的变形和偏 差，光刻中的这种误差直接影响电路性能和生产成品率．为尽量消除这种误差， 一种有效的方法是光学邻近效应矫E_(oPc)方法．目前由于OPC矫正处理时间过 长，产生的文件大小呈指数级增长，使掩膜版的制造成本成倍地增加．文中首先 针对OPC矫正技术进行了深入研究，提出了具有图形分类预处理功能的自适应 OPC矫正技术，将芯片图形按其对性能的影响分为关键图形与一般图形，对两类 图形采用不同的容差，提高了OPC处理效率．其次，提出并实现了图形分段分类 的基于模型的OPC矫正算法，在保证矫正精度的同时提高了矫正的效率．提出了 具有通用性、简洁性和全面性的OPC矫正规则，在此基础上实现了规则库的自动 建立和规则库的查找与应用，实现了效率高、扩展性强的基于规则的掩膜版矫正 算法．算法对规则数据进行有效地描述、存储和处理，提高了光刻矫正技术实际 应用效率．第三，设计实现了高效、高精度的光学邻近效应矫正系统MR—OPC，系 统综合应用了基于规则的OPC矫正技术和基于模型的OPC矫正技术，很好地解 决了矫正精度和矫正效率之间的矛盾，取得了最佳的矫正优化结果． 关键词 光学邻近效应矫正 基于规则 基于模型 版图 集成电路 1引言 在芯片制造工艺流程中，产品的成品率由大量的工艺过程参数所控制，例如：掺杂浓度、 沟道长度、衬底形状和寄生效应、光学邻近效应以及层与层之间的绝缘层厚度等等．要获得一 个合理的设计结果，在设计过程中必须考虑这些工艺参数，同时在制造过程中必须控制这些 工艺参数的稳定性并和设计过程保持一致．但是由于问题规模的扩大，尤其是特征尺寸和线 宽的减小，使得保持制造工艺参数的稳定性和与设计过程一致性越来越困难． 收稿日期：2006一12—29；接受日期：2007—08—26 国家自然科学基金资助项目(批准号 }联系人。E—mail：caiye@mail．tsinghua．edu．cn 万方数据 1608 中国科学E辑信息科学 第37卷 光刻是集成电路制造的主要工艺，光刻工艺的任务是实现掩膜版上的图形向硅表面各层 材料上的转移．投影光通过掩膜图形后传播到硅片上，掩膜图形对光波来说，相当于传播路线 ±的障碍，从丽在硅片上得到与掩膜图形相关静光刻图形。根据光波衍射窝干涉原理，光波通 过掩膜版时将发生衍射，掩膜版不同位置之间的光波还会发生干涉，因此，实际投射到硅片上 的光强分布是这些衍射光波的叠加结果，它与掩膜图形荠不是完全相同的． 根据光波衍射原理，当障碍的尺寸远大于光波波长时，由衍射产生莳圈形偏差可以忽略 不计．也就是说，当掩膜版图形尺寸(集成电路的特征尺寸)远大于光波波长时，硅片上光刻图 形与掩膜版图形基本相阉．但在超深亚微米工艺下，集成电路特征尺寸在0．13pm甚至0．09}lm 以下，已经接近甚至小予光波波长酌情形下，光的衍莉效果将非常明显，硅片上光刻豳形与掩 膜版图形之间的偏差不可以忽略．随着集成电路特征尺寸不断地减小，这种光刻图形的变形 与偏差变得越来越严重，成为影响芯片性能和成晶率的蓬要因素睢2】1)。 特翱是在图形相互邻近的部位，由于光波干涉和衍射作用明显，图形偏麓会相对较大，铡 如，在线段顶端和图形拐角处偏差就比较明显．而这些图形部位徒往是对电路的电学性能和 电路功麓起关键作用的埯方，从丽影噙了整个芯片的性戆，甚至导致电路失效。这种由予光波 衍射、干涉而健光刻图形与掩膜图形产生偏差的现象称为光学邻近效应(OP