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Chapter 1
MOS-
bsim1,2
第一章器件模型
MOS场效应晶体管模型-bsim1,2
哈尔滨工业大学 微电子科学与技术系
肖立伊
Xiao liyi 02~04/08 《器件模型与电路模拟》 1
Chapter 1
MOS-
1.5 BSIM短沟道MOS管模型 bsim1,2
BSIM⎯ Berkeley Short-channel IGFET Model
1. BSIM1模型(1984)
BSIM1模型考虑了小尺寸MOS场效应管的一些二阶效应，它们
包括：
（1）载流子迁移率与垂直电场的关系;
（2 ）载流子速度饱和；
（3 ）漏感应引起表面位垒下降；
（4 ）漏和源对耗尽层电荷的共享效应；
（5 ）离子注入后的非均匀杂质分布；
（6 ）沟道长度调制效应；
（7 ）弱反型区（次开启区）导电效应；
（8 ）参数随几何尺寸的变化；
Xiao liyi 02~04/08 《器件模型与电路模拟》 2
Chapter 1
MOS-
阈值电压 bsim1,2
+ + − K − VV − VKϕ − V ϕ V ( )ϕ η
THFB S S1 BS S 2 BS DS
式中 VFB—平带电压
ϕ —表面反型电势（在均匀衬底掺杂时，ϕ =2 ϕ ）
S S p
K1—体效应系数（等效于γ ）
K —源漏
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