浸润式光刻工艺中水渍残留的优化.docVIP

  浸润式光刻工艺中水渍残留的优化 莫少文1，李杨2* （1. 上海交通大学微电子学院，上海 200051； 5 10 15 20 25 30 35 40 2. 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司） 摘要：水渍缺陷，是浸润式光刻工艺所产生的一种特有的缺陷。由于浸润工艺引入了水，所 以在曝光时，水时刻存在。但是在曝光的过程中，以及曝光结束之后，水参与了部分微小的 化学反应，或者水没有被清理干净，依旧有些许残留在晶圆表面。这些都是水渍残留的特征。 本文中，我们探讨了水渍残留的优化，主要有优化防水涂层特性，优化曝光扫描速度，优化 冲洗过程。 关键词：水渍残留；工艺优化；防水涂层；扫描速度; 冲洗过程; 中图分类号：TN46 improvement of water mark in immersion litho process MoShaoWen1, Li Yang2 (1. Institute of Micro Electronics Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200051; 2. SMIC) Abstract: Water mark defect is one of the extraordinary defect types brought by new immersion litho process. Because immersion means water is used for bigger NA, water exists at any time during wafer exposure. However, there will always be some water remaining on the wafer surface after the scan by immersion hood. The remaining water take part in the chemical progress of resist , or they just stay on the surface, they will become defects after baking in track. These are the characteristics of water mark defect. In my paper, I discussed some solution to improve the remaining water perfromance. It can be improved by changing the top-coating material which leads to better anti-water peformance. It can also be improved by optimizing exposure scan speed. It can be improved by optimizing the process of water rinse as well. . Key words: water mark defect; process optimization; top-coating; scan speed; water rinse 0 引言 减少水渍残留的方法主要针对去除曝光浸润部件过后的水滴。其中包括优化浸润部件的 的结构以共计更好的浸润水区的控制，以及更可靠的防水光阻。如果有水渍残留，它们必须 尽快被清理干净。所以，接下的的第二步是晶圆表面的水处理，这个步骤必须在曝光后烘烤 之前完场，我们必须在水渍对晶圆表层光阻造成损伤之前，就把水渍清理干净。为了减少水 渍损伤光阻的时间，通常冲洗的单元都被安装在涂布机与光刻机之间的连接部位。第三步则 是选择防水特性优良的光阻。 1 浸润部件的工作方式 浸润部件就是创造 NA 公式中介质 n 的核心部件，它将一层区域固定，但水流不断的 超纯水 UPW 源源不断的固定在投影镜头 projection lens 与晶元 wafer 之间，使所有的曝光 光线从镜头射向超纯水最终到达晶元 wafer 表面。技术上的关键是如何固定住水的形状，使 它不会到处流动，从而产生缺陷甚至损坏设备。 作者简介：莫少文 （1983），男，工程师，半导体工艺. E-mail: moshaowen@ -1- 2 水渍缺陷的形貌  图 1：原理图 Figure 1: immersion principle   45 50 55 60 水渍缺陷的主要形貌是面积较大的圆形缺陷，有时图形上的线条变宽，横向面积增加， 有时整个缺陷与光阻同高，表面还能看出一些线条图形。它可能的源头则有以下几