厚膜SOI材料顶层硅过渡区减薄方法.docVIP

  厚膜 SOI 材料顶层硅过渡区减薄方法 王文宇1,2，郑健2* （1. 上海交通大学微电子学院，上海 200240； 5 10 15 20 25 30 35 40 2. 上海新傲科技股份有限公司，上海 201821） 摘要：本文介绍了厚膜绝缘层上硅材料（SOI）的一种新型制备工艺方法，并分析该制备方 法中外延层过渡区问题，并提出利用传统化学机械抛光方法进行减薄，以及通过配制适当配 比比例的非选择性腐蚀液，利用旋转腐蚀方法对过渡区进行减薄，进而制备出顶层硅电阻率 符合要求的厚膜 SOI 材料。 关键词：绝缘层上硅；外延层过渡区；化学机械抛光；旋转腐蚀 中图分类号：TN304 Thinning Method of Thick SOI Material Transition Layer WANG Wenyu1,2, ZHENG Jian2 (1. School of Microelectronics, Shanghai JiaoTong University, ShangHai 200240; 2. Shanghai Simgui Technology Co.,Ltd., ShangHai 201821) Abstract: In this paper, a new thick SOI material fabrication method is introduced, this epitaxial transition layer of SOI substrate manufactured under this method is studied. This transition layer is thinned by tranditional CMP method, and with an adequate proportion of non-selective acid solution, Spin Etch Method is adopted to remove the EPI transition layer, thus a thick SOI substrate with a suitable device layer resistivity could be made. Keywords: SOI; EPI Transition Layer; CMP; Spin Etch 0 引言 SOI（Silicon on Insulator）结构包括绝缘体上的单晶硅薄膜和支撑绝缘体的硅衬底，绝 缘体通常是二氧化硅。由于有绝缘层的保护，SOI 器件可以完全消除闩锁效应，减小了体硅 的寄生效应，具有抗辐射性质，高速低功耗等特点，这些特性对集成电路产业的发展起到至 关重要的作用。随着器件尺寸的进一步缩小，工作环境的需要，SOI 将逐步代替体硅材料， 成为未来主流的半导体芯片材料。 已经产业化的 SOI 制备技术主要有以下几种，一是通过离子注入在体硅上注氧，形成 具有一定深度的埋氧层，这种方法就是注氧隔离技术（SIMOX）；二是采用键合，将两片 带有氧化层的硅片键合在一起，然后在器件片的背面减薄至所需的厚度，这种方法就是键合 和背面减薄技术（BESOI）；三是硅薄膜的层转移技术，主要有 Smart-Cut?；四是由上海新 傲科技股份有限公司陈猛等人结合了离子注入和键合技术提出了注氧键合技术，形成具有自 主知识产权的 Simbond?技术[2]。五是由上海新傲科技股份有限公司提出了一种新的 SOI 制 造方法，称为 BEST-SOI（Bonding and Etch Stop-layer Transfer SOI）技术[1]，通过对传统 BESOI 技术的改进，既降低了 Simbond?技术成本，还大幅提高了 BESOI 的顶层硅厚度均匀性，而 且与 Simbond?技术达到的水平较为接近。 在 BEST-SOI 的工艺步骤中，重掺的衬底经过轻掺外延后再键合而形成的 SOI 衬底，通 过研磨减薄至一定厚度时，再采用氢氟酸，硝酸的混合溶液，按照一定配方混合后，采用各 项同性的腐蚀方法来对硅片重掺层进行减薄，直至外延层自停止，形成 SOI 层。但是由于 轻掺层外延层的电阻率不是完全均匀分布，顶层硅外延层有一段非均匀电阻率过渡区，该过 作者简介：王文宇，男，工程师，主要研究方向：SOI 材料制备工艺。 E-mail: wangwyu@ -1-   渡区电阻率程明显梯度分布，一般不能作为器件层，因此，如何在去除该层过渡区域的同时， 又能保持良好的 SOI 衬底外延顶层硅均匀性，具有一定探索价值，也是本文研究的主要方 45 50 55 60 65 70 向。 1 BEST-SOI 工艺基本流程 上海新傲科技股份有限公司是国内