酸槽制程稳定性的优化方法.docVIP

  酸槽制程稳定性的优化方法 郑利平1,2，程秀兰1** （1. 上海交通大学微电子学院，上海 201203； 5 10 15 20 25 30 35 2. 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，上海 201203） 摘要：在传统的半导体工艺中，有源区的氮化硅去除过程采用的是磷酸，这种酸对二氧化硅 与氮化硅的选择比在一个换酸周期内差异非常大，在氮化硅完全去除后，场氧化层的厚度差 异很大，影响了后续的离子植入制程，从而导致最终电性的不稳定。为了解决新旧酸的选择 比差异问题，我们提出了一种全新的换酸模式(小换酸)取代传统的大换酸模式，使二氧化硅 与氮化硅的选择比保持在一个相对稳定的水平，从而确保了场氧化层厚度的一致性以及电性 的稳定性。 关键词：选择比；磷酸；小换酸；稳定性 中图分类号：TN305 An Effective Way to Improvement WET Process Stability Zheng Liping1,2, Cheng Xiulan1 (1. ShangHai JiaoTong University School of Microelectronics, ShangHai 201203; 2. Semiconductor Manufacturing International Corporation, ShangHai 201203) Abstract: In traditional semiconductor process, Phosphoric Acid used to remove AA nitride. The old chemical and new chemical have difference selectivity between thermal nitride and thermal oxide. In one renewal cycle, AA nitride always be removed completely, but STI oxide loss has huge variation,and this will impact IMP process and result to WAT unstable. To solving this issue, a chemical partial change method is introduced to instead of traditional full change process. According to partial change method, the chemical selectivity between nitride and oxide is much more stable than traditional process. Keywords: Selectivity; Phosphoric Acid; Partial Change; stable 0 引言 随着半导体技术的发展，芯片特征尺寸越做越小，芯片性能越来越强，对稳定性的要求 也愈加严格，这就要求芯片制造过程中的稳定性要加强。传统的酸槽制程存在很大的局限性， 以氮化硅的去除为列，由于长时间制程，不同的酸槽切换带来的污染问题，往往一个月或者 更短的时间就要对酸槽进行一次大换酸(将所有的旧酸全部换成新酸), 新旧酸对二氧化硅与 氮化硅的选择比在一个换酸周期内差异非常大，导致在氮化硅完全去除后，硅片表面的场氧 化层的厚度差异性很大，影响了后续的离子植入制程，从而导致最终电性的不稳定[1-3]。而 且在这个换酸的过程中，机台要停机，每次换完的旧酸就不能用了，不光从时间还有材料上 都有很大的损失。为此，我们研究了一种全新的换酸模式:小换酸----每次只把旧酸中的一部 分用新酸替换，在整个换酸过程中不需要停机，而且节省了化学材料，最重要的是可以长时 间的确保酸槽选择比的稳定性。 作者简介：郑利平，（1984-），男，中芯国际集成电路制造有限公司工艺整合工程师，上海交通大学微电 子系在职研究生。 通信联系人：程秀兰，女，上海交通大学微电子学院，副教授，上海交通大学微电子学与固体电子学博士。 先后曾在铁道部戚墅堰机车车辆工艺研究所、上海贝岭股份有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司 （ SMIC）逻辑技术发展技术与制造中心（LTDM）工作，从事技术研发工作。曾负责完成了铁道部铁路 机车车辆关键零部件热处理专家系统的研发；作为核心研发人员，参与了 SMIC 0.13um 逻辑产品关键工艺 技术的研发和 90nm 逻辑产品前期性工艺技术的研发。主要研究方向：新型半导体工艺与器件；集成电路 制造工艺与材料。E-mail: xlcheng@sjtu.ed