第一章半导体器件工艺学综述.ppt

半导体器件工艺学 电子工程系 课程安排 半导体芯片制造概述 半导体材料 氧化 淀积 光刻 刻蚀 掺杂 硅平面工艺 装配与封装 第一章半导体芯片制造概述 §1-1简介与发展 §1-2集成电路的分类 §1-3集成电路工艺基础 §1-4微芯片的制造环境 §1-1简介与发展 一、几个重要发明 第一个晶体管 1947年 Bell Labs 第一个商用平面晶体管 1957年 Fairchild 第一个IC 1958年 TI 第一个硅IC 1961年 Fairchild 二、现代的IC制造 硅片（衬底，晶圆）： 制造电子器件的基本半导体材料 是单晶，圆形，薄片 半导体器件制作在接近硅片表面几μm处 淀积介质层和导电材料隔离或连接器件 多层布线结构 制作两到三个月，完成450道或更多的工艺步骤 加工前的硅片 加工后的硅片 硅芯片的器件和层 多层布线结构 多层布线 三、发展趋势 IC发展的标志：尺寸 集成度 摩尔定律: 1964年 戈登·摩尔 内容：芯片上的晶体管数每18个月翻一番（1975年） 物理极限：一个原子尺寸约为几个A，若干原子形成一个器件。 光刻技术 §1-2集成电路分类 按器件导电类型： 双极型、MOS型、双极—MOS型 按器件功能分类： 数字、模拟 §1-3集成电路工艺基础 一、集成电路的材料 1.制造材料 导体：作互连线，阻挡层，接触孔，通孔　　如：Al Cu，Ta Ti 及其氮化物 , W 绝缘体：作介质层，保护层，钝化层 如 ：SiO2 低Ｋ介质 高Ｋ介质，Si3N4 半导体： Ge Si GaAs GaN 掺杂 2.重要的半导体材料——硅 Si 硅的丰裕度 更高的熔化温度允许更宽的工艺容限 硅1412℃ 锗937 ℃ 更宽的工作温度范围 氧化物 SiO2 二、微芯片制造工艺流程 制备硅片 硅片制造 硅片测试/拣选 装配与封装 终测 1.制备硅片 半导体级硅提炼 单晶生长 整形、切片等 2.硅片制造 在其表面形成器件和互连线（层）的过程 薄膜生长：氧化 淀积 外延 图形转换：光刻 刻蚀 掺杂：热扩散 离子注入 　其他技术：清洗 平坦化等 4.装配与封装 划片，切割成芯片 压焊和包封 §1-4微芯片的制造环境 沾污 导致成品率损失 80%失效芯片是由沾污带来的缺陷引起的 维护一个严格的微芯片制造环境很重要 净化技术 一、沾污类型 颗粒　 　危害　检测 金属杂质 可动离子沾污（MIC），典型的MIC：Na+ 有机物沾污 自然氧化层 静电释放 击穿 电荷积累吸引颗粒 颗粒造成的缺陷 二、污染源与控制 空气 人 净化间 厂房 水 工艺用化学品 工艺气体 生产设备　 超净间 净化级别 净化级别：标定了净化间的空气质量级别，由颗粒尺寸和密度来表征 参考标准： ISO标准14644 FS-209E FS-209E 净化间的控制 布局 气流和压力(层状单向流，高于外界压力） 空气过滤 温度和湿度 静电释放(采用静电消耗材料，接地，空气电离) 设备的净化 工作台 （穿壁式） 硅片自动化处理 微环境 （硅片隔离技术） 三、硅片清洗 1.清洗工艺： 湿法清洗（改进的RCA清洗工艺） 干法清洗 （利用热化学气体或等离子态反应气体与硅片表面产生化学反应，生成易挥发性反应物而去除） 螯合剂、臭氧、低温喷雾清洗等其他清洗技术 2.湿法清洗办法 兆声清洗 喷雾清洗 刷洗器 水清洗： 溢流清洗、排空清洗，喷射清洗、加热去离子水清洗 3.硅片甩干 疏水性表面 SFQ系列 CXS系列 湿法清洗台 旋转冲洗甩干机 * * 3.硅片测试/拣选 5.终测 确保集成电路通过电学和环境测试 *