微波等离子体化学气相沉积技术制备金刚石薄膜的研究.pdfVIP

·36 · 材料导报网刊 2006 年 4 月第 2 期 * 微波等离子体化学气相沉积技术制备金刚石薄膜的研究 罗 丽，汪明朴，谢 丹，李 周 （中南大学材料科学与工程学院, 长沙 410083） 摘要 介绍了微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备金刚石薄膜的研究情况， 重点论述了该法的制备工艺对金刚 石薄膜质量的影响及其制备金刚石薄膜的应用前景。 关键词 微波等离子体 化学气相沉积 金刚石薄膜 Studies on Diamond Film Grown by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition LUO Li ，WANG Mingpu ，XIE Dan ，LI Zhou （School of Materials Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083 ） Abstract Studies of diamond film grown by microwave plasma chemical vapor deposition are introduced. The influence of the process parameter on the qualities of diamond film is reviewed emphatically, and the application of the microwave plasma chemical vapor deposition to prepare diamond film is discussed. Key words microwave plasma, chemical vapor deposition, diamond film 0 引言 金刚石薄膜具有许多优异的物理性能, 如低摩擦系数、 高硬度和弹性模量、高热导率（室温下为铜的 5 倍）和室温 电阻率, 以及高电子空穴迁移率等；同时它又具有极好的化 [1] 学稳定性, 如抗酸、碱及各种腐蚀性气体侵蚀的性能等 。 作为集各种优异的物理、化学性能于一身的新型功能薄膜材 料, 金刚石薄膜无疑在微电子、光电子、生物医学、机械、 [1] 航空航天及核能等高新技术领域中具有极佳的应用前景 。 微波等离子体化学气相沉积（简称 MPCVD ）法作为目 前适合金刚石薄膜工业生产的主要方法之一, 与其他如热丝 辅助化学气相沉积法（简称 HFCVD ）、直流等离子体化学气 相沉积法（简称 DC-PCVD ）和射频等离子体化学气相沉积 法（简称 Rf-PCVD ）等相比, 具有以下优点[2～7]：① 沉积温 度低；② 微波放电是无极放电, 无气体污染和电极腐蚀；③ 图 1 ASTeX 制造的 MPECVD 装置 电离和分解程度高, 原料气体分解充分, 等离子体密度高； 等离子体 ④ 运行气压范围宽, 在高气压下能维持等离子体；⑤ 微波 等离子体密度涨落低, 重复性好, 等离子体参数（离子密度、 微波能量 电子温度）的调整较为方便；⑥ 衬底外形适应性强。 大量电子 反应