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中国工控信息网 收录 关于中、高压变频器的一些知识 冷增祥 东南大学自动控制系，江苏南京 210018 摘要：中、高压变频器主电路不像低压变频器那样，至今还没有统一的拓扑结构，它们从功率 开关器件，到整流器和逆变器都有多种形式，介绍了这些方面的知识，以供选用时进行分析比 较。 关键词：高压变频器；集成门极换相晶闸管；三电平；多重化；PWM整流器 在低压变频调速完全成熟、并获得广泛应用之后，现在不少厂家对中、高压电机采用变频调速 正在跃跃欲试，犹如十多年前开始推广应用低压变频调速的情势一样（在电气传动领域，将2.3～ 10kV习惯上称作高压，而与电网电压相比，只能算作中压）。然而不像是低压变频器，无论哪 种产品，它们的主电路形式基本相同，而中、高压变频器则到目前为止，还没有近乎统一的拓 扑结构。为此，本文就目前中、高压变频器的有关知识作些阐述和介绍，以供选用时进行分析 比较。 1功率开关器件 中、高压变频器首先依赖于高电压、大电流的电力电子器件。目前应用于中、高压变频器的电 力电子器件主要有下列几种。 1 1GTO 门极可 断（GTO）晶闸管是目前能承受电压最高和流过电流最大的全控型（ 称自 断）器件。 它能由门极控制导通和 断，具有电流密度大、管压降低、导通损耗小、dv/dt耐量高等突出优 点，目前已达6kV/6kA的生产水平，最适合大功率应用。但是GTO有不足之处，那就是门极为电 流控制，驱动电路复杂，驱动功率大 （ 断增益 =3～5）； 断过程中内部成百甚至上千个GTO 元胞不均匀性引起阴极电流收缩 （挤流）效应，必须限制dv/dt。为此需要缓冲电路 （ 称吸收 电路），而缓冲电路既增大体积、重量、成本，又徒然增加损耗。另外，“拖尾”电流使 断损 耗大，因而开关频率低。 1 2IGBT 绝缘栅双极晶体管（IGBT）是后起之秀，它是一种复合型全控器件，具有MOSFET （输入阻抗高、 开 速度快）和GTR （耐压高、电流密度大）二者的优点。栅极为电压控制，驱动功率小；开 损耗小，工作频率高；没有二次击穿，不需缓冲电路；是目前中等功率电力电子装置中的主流 器件。除低压IGBT （1700V/1200A）外，已开发出高压IGBT，可达3.3kV/1.2kA或4.5kV/0.9kA的 水平。IGBT的不足之处是，高压IGBT内阻大，因而导通损耗大；低压IGBT用于高压需多个串联。 1 3IGCT和SGCT 在GTO的基础上，近年开发出一种门极换流晶闸管（GCT），它采用了一些新技术，如：穿 型 阳极，使电荷存储时间和拖尾电流减小，制约了二次击穿，可无缓冲器运行；加N缓冲层，使硅 中国工控信息网 收录 片厚度以及通态 (d)输出电流 (a)电压型 (b)电流型 (c)输出电压 图1交直交单相逆变器主电路及其输出波形 损耗和开 损耗减少；特殊的环状门极，使器件开通时间缩短且串、并联容易。因此，GCT除有 GTO高电压、大电流、低导通压降的优点，又改善了其开通和 断性能，使工作频率有所提高。 为了尽快 （例如1μs内）将器件 断，要求在门极PN不致击穿的－20V下能获得快于4000A/μs的 变化率，以使阳极电流全部经门极极快泄流 （即 断增益为1），必须采用低电感触发电路 （例 如门极电路最大电?lt;5nH）。为此，将这种门极电路配以MOSFET强驱动与GCT功率组件集成在 一起，构成集成门极换流晶 管（IGCT）。其改进形式之一则称为对称门极换流晶 管（SGCT）。 两者具有相似的特性。IGCT还可将续流二极管做在同一芯片上集成逆导型，可使装置中器件数 量减少。 表1为GTO、IGCT、IGBT一些能数的比较。可以看出，在1kHz以下，IGCT有一定优点；在较高工 作频率下，高压IGBT更具优势。 表1GTO、IGCT、IGBT参数比较器件GTOIGCTIGBT 通态压降/V 门极驱动功率/W80151.5 存储时间/μs201～3.40.9 尾部电流时间/μs1500.70.15 工作频率/kHz0.5120 除上述三种器件外，现在还在开发一些新器件，例如新型大功率IGBT模块——“注入增强栅极晶 体管” （IEGT），它兼有IGBT和GTO二者优点，即开 特性相当于IGBT，工作频率高，栅极驱动 功率小 （比GTO小二个数量级）；而由于电子发射区注入增强，使器件的饱和压降进一步减小；