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第32卷第5期 舰船科 学技术 V01．32，No．5
2010年5月 SHIPSCIENCEANDTECHNOLOGY May，2010
高纯三氟化硼制备技术研究
韩瑞雄，周俊波
(北京化工大学机电工程学院，北京100029)
摘 要： 高纯三氟化硼是半导体离子注入用的重要掺杂离子源，在电子工业中有着广泛的应用。本文提出了
在真空条件下，高温裂解氟硼酸盐、低温精馏制备高纯三氟化硼气体的新工艺。该工艺是在600℃和700℃2个温度
段分别对氟硼酸盐进行高温分解，对产生的产品气体进行低温精馏操作，实现三氟化硼气体的净化。实验结果表明，
该工艺流程产生的三氟化硼气体纯度不低于99．995％，四氟化硅的含量在10ppm以下。
关键词： 三氟化硼；制备；高纯
中图分类号：0621．3 文献标识码： A
文章编号： 1672—7649(2010)05—0099—04
Researchon of borontrifluoride
preparationextremelypure
HAN Jun-bo
Rui—xiong，ZHOU
ofMechanicalandElectrical ofChemical
(School Engineering，BeijingUniversity
Technology，Beijing100029，China)
boronttifluofideisthe ionsourceforsemiconductor
Abstract：Theextremely
pure importantdoping
ion it hasawide inelectronics vacuum new
implanmtion，and application industry．Inconditions，the
of borontrifluofide offluoroborateatelevated
processpreparationextremelypure gasbypyrolysis
and distillationwas inthe Was thermal
temperaturecryogenic proposedpaper．Fluoroboraterespectively
atthe of600oCand the of was the
700℃，and distilled，and
decomposedtemperature productgas cryogenic
ofborontrifluoridewastorealize showedthatthe ofboron
gas purification．Theexperiments purity
trifluoridenotlessthan thecontentoffourfluorinatedsiliconbelow10 inthe
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