计算机仿真技术作业五 单端反激DC DC电路仿真.docVIP

单端 反激DC/DC电路仿真 ——计算机仿真技术作业五 姓名： 班级： 学号： 一、单端 反激电路设计 【实验要求】 设计一个单端 反激电路，输入直流电压28V，输出电压5V，输出额定功率30W。电路开关频率50kHz，整流二极管通态压降0.8V，计算功率管的工作占空比，并选择开关管（选择MOSFET）及二极管。 1、DCM模式时器件的选择 （1）变压器变比及开关管控制信号占空比选择: 取Vs=56V， （2）占空比选择 （3）原边电感大小的计算 （4）滤波电容大小的计算 2、CCM模式时器件的选择 （1）变压器变比及开关管控制信号占空比选择: 取Vs=56V， （2）占空比选择 （3）原边电感大小的计算 最小负载电流0.1A，则最大电阻有10欧，原边电感量： （4）滤波电容大小的计算 二、计算机仿真及分析 【实验要求】 Ⅰ 满负载的仿真：DC/DC变换器，R=0.83Ω，C=1320μF,仿真时间0.2s。观察并记录MOSFET的工作波形（电压、电流波形），输出整流二极管的工作波形（电压、电流波形），输出电压波形。 Ⅱ 小负载的仿真：R=10Ω, C=1200μF，仿真时间0.5s。选择合适占空比,使得输出电压为5V 。观察并记录MOSFET的工作波形（电压、电流波形），输出整流二极管的工作波形（电压、电流波形），输出电压波形。 利用simpowersystems建立的仿真模型如下： 图2 1、满负载的仿真： 根据理论算出来的占空比进行仿真，发现输出电压稳定时的有效值为4.92V。为了更加精确，对占空比进行微调。实际占空比为0.5363，此时的输出电压为5.001V。 （1）MOSFET的工作波形： ① 电压波形： 图3 由上图可以看到，电路刚起动时MOSFET管两端的电压很大，最大可达到73.92V。MOSFET的工作电压波形存在振荡过程，在t=0.035s时，电路才稳定下来。 对上图波形稳定部分进行局部放大，如下： 图4 由上图，可以看到，开关管在关断时所承受的反向电压大约为60V，在开通时有大约0.3V的正向导通压降，与普通二极管相比，这个电压是很小的（与肖特基二极管相当）。 ② 电流波形： 图5 由上图可以看到，电路刚起动时有很大的冲击电流，最大可达到8.402A，且存在振荡过程。大概在t=0.035s时，电路才稳定下来。 对上图波形稳定部分进行局部放大，如下： 图6 由上图，可以清楚地看到电路的开关周期为0.0001s，开关管的正常工作电流为2.5～3.2A。 （2）输出整流二极管的工作波形： ① 电压波形： 图7 由上图可以看到，电路刚起动时二极管两端的电压很大，最大可达到12.54V。二极管的工作电压波形存在振荡过程，在t=0.035s时，电路才稳定下来。 对上图波形稳定部分进行局部放大，如下： 图8 由上图，可以看到，在开关管关断期间，二极管导通，其正向压降大约为0.7V；在MOSFET开通期间，二极管反向截止，其承受的反向压降为-10V。 ② 电流波形： 图9 由上图可以看到，电路刚起动时流过二极管的电流很大，最大可达到47.01A。电流波形存在振荡过程，大概在t=0.035s时，才稳定下来。 对上图波形稳定部分进行局部放大，如下： 图10 由上图可知，开关管的正常工作电流为14～18A。 （3）输出电压波形： 图11 由上图可以看到，电路刚起动时输出电压存在振荡过程，峰值为7.626V，在t=0.035s时，输出电压才稳定在5V。 对上图波形稳定部分进行局部放大，如下： 图12 由上图可知，输出电压的波动范围为：4.96～5.04V，纹波电压百分数为 。 2、小负载的仿真： 根据理论算出来的占空比0.5327进行仿真，发现输出电压稳定时的有效值为6.883V。这显然不满足要求。改变占空比，经多次尝试，发现当占空比为0.3935，输出电压有效值为5V。 （1）MOSFET的工作波形： ① 电压波形： 图13 此图虽然比较模糊，但至少可以给予我们这样一个信息：电路起动时，MOSFET两端电压没有出现瞬间冲击。 对上图波形稳定部分进行局部放大，如下： 图14 由上图可知，开关管在关断时所承受的反向电压大约为60V、28V，在开通时有大约0.05V的正向导通压降，比满载时小了很多。为什么在MOSFET关断时，其反压有突变呢？观察图14、16、18、20，我们可以发现激磁电流断续了（或者，变压器磁动势不连续）。当流经二极管的电流提前下降到0时， 变压器被短路，但由于MOSFET还未导通，MOSFET直接承受电源28V的反压。同理，此时的二极管承受电容5V的反压。 ② 电流波形： 图15 由上图可以看到，电路起动时流经MOSFET的电流较大，最大为4A，只有满载（8.4A）时的一半。 对上图波形稳定部分进行局部放大