电工电子技半导体二极管与整流滤波电路.pptVIP

图 8.17 复式滤波电路 （a）Γ型滤波电路；（b）Π型RC滤波电路 为了进一步减小负载电压中的纹波，可用以上电路 例 8.2 一个桥式整流电容滤波电路如图 8.18 所示。电源由220 V、50Hz的交流电压经变压器降压供电，要求输出直流电压为30 V，电流为500 mA，试选择整流二极管的型号和滤波电容规格。 解 （1）选择整流二极管。 通过每只二极管的平均电流为 有负载时的直流输出电压为 故变压器次级电压有效值为 每只二极管承受的最大反向电压为 URM = U2= ×25≈35V 根据IV和URM选择二极管，查有关手册，选取2CZ54B二极管4只，其最大整流电流IFM＝0.5A, 最高反向工作电压URM＝ 50 V 。  （2）选择滤波电容器 取标称值1000μF； 电容器耐压为（1.5～2）U2 = （1.5～2）×25 = 37.5 ～ 50 V 。 最后确定选1000μF／50V的电解电容器1只。 8.5 硅稳压管稳压电路 交流电经整流滤波可得平滑的直流电压，但由于电网电压波动和负载变化时输出电压也随之而变，因此，需要一种稳压电路， 8.5.1 稳压二极管稳压电路的工作原理 图 8.19 稳压管稳压电路 1. 电路： 2.工作原理: (1). 负载电阻RL不变 Ui↑ → Uo↑→ IZ↑ → IR↑ → UR↑ → Uo↓ (2). 电源电压不变 RL↓ → IL↑ → IR↑ → Uo↓ → IZ↓ → IR↓ = （IL+IZ）→Uo↑ 8.5.2 硅稳压管稳压电路限流电阻和稳压管的选择 （1）稳压电路中的稳定电压应按负载电压选取，即UZ=Uo 。如果一个管子的稳压值不够，可以用两个或多个稳压管串联。稳压管的最大稳定电流IZmax大致上应该比最大负载电流ILmax大两倍以上，即Izmax ≥ 2 ILmax 。  （2）限流电阻R的大小应该满足两个条件（两种极端情况）。首先，当直流输入电压最低（UImin）而负载电流最大时，流过稳压管的电流应该大于稳压管的稳定电流IZ，即 由上式得出 同时，当直流输入电压最高（UI max）而负载电流最小时，流过稳压管的电流不应该超过稳压管的最大稳定电流IZ max，即 由上式得出 导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 第8章 半导体二极管与整流滤波电路 8.1 半导体二极管 P N 外壳 8.1.1 半导体二极管的结构、符号及类型 1. 结构 PN结 + — 阳极引线 阴极引线 2.符号 阴极 阳极 P N 3.类型 （1）按材料分，有硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等。  （2）按用途分，有整流、稳压、开关、 发光、光电、变容、阻尼二极管等。 （3）按封装形式分，有塑封和金属封二极管等。 （4）按功率分，有大功率、中功率及小功率等二极管。 （5）按结构分，根据PN结面积大小，有点接触型、面接触型二极管,如下图: 引线 外壳 触丝 基片 点接触型 PN结 面接触型 小功率高频 大功率低频 半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。所谓伏安特性，是指二极管的两端电压和流过二极管电流的关系，可用图8.2所示的电路来测试。 8.1.2 半导体二极管的伏安特性 图 8.2 二极管伏安特性测试电路 （a）正向特性测试电路；（b）反向特性测试电路 伏安特性 U I 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 UBR远远大于UF可以达到几十伏、上百伏 UF 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。 P N + - 正向偏置 P N + - 反向偏置 反向截止区 反向击穿区 UBR UBR反向击穿电压 8.1.3半导体二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IFM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 3. 最高反向工作电压URM 手册上给出的最高反向工作电压URM一般是UBR的一半。 4. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流