氮化铝纳米锥有序阵列的低温制备及场发射特性研究.pdfVIP

料 辩 论 蛭 啊 I 氮化铝纳米锥有序阵列的低温制备及场发射特性研究 刘 飞 梁炜杰 邱昭武 苏赞加 黄泽强 刘 浩 邓少芝 许宁生 (广州中山大 学物理科学与工程技术学院 光 电材料与技术国家重点实验室 显示材料与技术广东省重点实验室 广东广州 510275 ) 摘【 要】由于氮化铝纳米锥拥有低电子亲和势和高长径比，因而可以在低电场下实现场发射。制备成纳米锥阵列后可能在低电场下使电子逸出表面而实现 场电子发射。我们通过热蒸发三氯化铝粉末的方法，在600℃下在硅片和ITO玻璃上沉积生长出大面积纳米锥阵列。纳米锥的平均长度为500 nrll，顶端直径 为 10nm。我们获得的氮化铝纳米锥为六方晶体结构 ，生长方向为[oo1】。场发射测试的结果表明，A1N纳米锥的开启电场(电流密度为 1o ¨A／cm!约为 5V／ m，阈值电场 (电流密度为 lmA／cm 约为9V／ “In，最高电流密度可达 3mA／cm ，这表明其在未来的冷阴极材料中有着很大的应用前景。 [关键词】氮化铝纳米锥 化学气相沉积 场发射 低温制备 [中图分类号]TQ133．1 [文献标识码]A 文【章编号]l009—914X (2008)12 (b)-0121-03 氮化铝(AlN)材料具有低电子亲和势，很可能在低电场下使电子逸出表 的生长密度 (生长间距约为长度的1倍)和较大的长径比，因此更为适合作 面而实现场电子发射，再结合其热稳定性好、硬度高和热传导率高等特性 ， 为场发射的冷阴极材料。经初步分析 ，我们认为 A1N纳米结构的生长机理， 使得氮化铝有望成为性能优异的场致发射冷阴极材料。目前，氮化铝一维纳 是符合气一液一固 (VLS)生长机理的。在实验中发现，如果不使用催化剂， 米材料的制备和场发射特性研究已取得一定的进展。以往所报道的氮化铝纳 几乎不会生成任何 AlN纳米结构。故可 以排除遵循气一固 (VS)机理生长 米棒…、纳米针尖 纳米锥 的场发射开启电场一般在 712 V／ m 。但 的可能性。故我们推测该纳米锥阵列的生长过程如下：首先，A1CI与FeO， 这些氮化铝纳米材料存在的问题是开启 电场高或者生长温度过高 (一般 形成共融物。而FeO 是解离N，／NH 良好的催化剂 ，N ／NH 分解后，N 800℃)而无法直接在 ITO玻璃上实现生长，所以距离在场发射显示器中的 原子扩散到共融物中并与A1生成AIN。随着A1N在液滴中变得过饱和，AlN 应用尚存在一段差距。因此，降低氮化铝纳米材料的制备温度 (低于ITO的 沿着固一液界面 以择优的生长的方向析出，不断生长，在较低的温度下形成 熔点)，并获得具有低开启电场的AlN 纳米结构极其重要。 纳米锥结构o[5-71 本实验在 600℃的条件下通过简单的化学气相沉积法，以A1C1粉末为源 我们通过 X 射线衍射来确定氮化铝纳米锥的晶体结构和生长取向。图 材料，分别在硅片和ITO玻璃衬底上实现了大面积氮化铝纳米锥有序阵列的 2所示的是典型的氮化铝纳米锥阵列的XRD图。从XRD图谱中可以看出， 生长。使用SEM 、TEM 和XRD等方法对氮化铝纳米锥的组分及结构进行 除了氮化铝结构的衍射峰外没有出现任何杂质峰 ，这说明我们所制备的纳米 表征分析，并且初步探讨了生长机制。同时，使用场致发射综合分析仪测试 结构为单晶的氮化铝结构。查阅PDF(ThePowerDiffractionFile)卡片 分析低温方法所制备的纳米锥有序阵列的场发射性能。 25-J】33确定该纳米锥阵列为六方结构的氮化铝单晶 (h—AlN)。经计算， 1实 验 样品的晶格常数与A1N体材料的晶格常数吻合得很好。并且我们除了在 36．