铅离子辐照注碳4H—SiC的红外光谱特性研究.pdfVIP

第 23卷 第 2期 原 子 核 物 理 评 论 Vo1．23，No．2 2006年 6月 NuclearPhysicsReview Jun．，2006 文章编号：1007—4627(2006)02—0221—03 铅离子辐照注碳4H—SiC的红外光谱特性研究 周丽宏，张崇宏，宋 银，杨义涛 (巾国科学院近代物理研究所，甘肃 兰州 730000) 摘 要：主要研究了铅离子辐照注碳4H—SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的 变化。从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H．SiC样 品在一定深度内出现了非晶层，波数在 960—1450O1TI范围内出现了干涉带，干涉带强度随着退火温度的升高而变弱。1373K退火后 样品的卢瑟福背散射分析结果显示，一定深度内硅原子的背散射产额明显减少。 关 键 词：4H—SiC；傅立叶变换红外光谱；离子注入；卢瑟福背散射分析；退火 中图分类号：057I 文献标识码：A 1 引言 况 。 本文利用FTIR结合卢瑟福背散射分析 (RBS) 以碳化硅为代表的新一代化合物 导体材料由 方法研究了退火温度的变化对铅离子辐照注碳4H- 于大的禁带宽度、高的载流子饱和漂移速率 、高的 SiC样品损伤恢复程度的影响。 击穿电压和 良好的化学热稳定性等诸多优点，在高 速、高温、大功率微电子器件以及高亮度短波长光 2 实验过程 电子器件的开发中显示了重要的应用前景，因此受 到人们越来越多的关注。在碳化硅器件工艺中，即 碳离子注入实验是在中国科学院近代物理研究 使在 1800℃扩散条件下，大部分掺杂的扩散速率 所200kV的离子注入机上完成 的。注入碳离子 仍然较低 J，因此离子注入被认为是比较可行的掺 (C )的能量为 110keV，注入量为5X10”ion／cm2， 杂工艺技术。然而离子注入都不可避免地使碳化硅 注入时样品的温度为室温。依照 SRIM96计算结 材料中出现缺陷，会使其电学性能受到很大的影 果，射程为199rim，C原子浓度峰值为61％ 。注 入碳离子后又用能量230MeV的铅离子 (加Ph”) 响，往往需要在一定条件下退火，使损伤的晶格得 到一定的恢复。所以研究注入或辐照后缺陷的退火 辐照样品，∞Pb 辐照是在中国科学院近代物理研 行为是碳化硅器件制造和应用的基础。另外，碳化 究所的HIRFL—SFC的实验终端上进行的，辐照量为 硅材料也是未来核聚变堆的一种很有前景的候选结 1X10 ion／cm ，辐照时样品的温度为500K。依照 构材料，对其辐照缺陷演化的研究有助于r解这种 SRIM96计算结果，射程为370nml6J。铅辐照注碳 材料在聚变堆强辐射环境中结构与性能的变化。 后的样品在真空环境下退火，真空度在3x10 Pa 离子注入／辐照后的碳化硅可用红外光(IR)谱 以上，退火温度分别为773，1073和 1373K，退火 和拉曼光谱等方法分析其物理性能的变化。傅立叶 时间均为 30min。 变换红外光(FTIR)谱除可用于研究固体晶格振动 利用SpectrumGX型谱仪在室温下测得 FTIR。 外，还可用f分析薄膜的厚度_2J、半导体载流子的 钡0试时的分辨率为4．0cn～，增益为 1．0，扫描次 浓度 以及空问分布 I4和离子注入后 的损伤情 数20次，扫描波波数在580__4000cm～。卢瑟福 收稿 日期：2005-11-20；修改 日期：2006．0