溅射法制备SmS薄膜的XRD研究.pdfVIP

第 25 卷 　第 5 期 武 　汉 　理 　工 　大 　学 　学 　报 Vol . 25 　No . 5 2003 年 5 月 JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 　May 2003 ( ) 文章编号 :167 1443 1 2003 溅射法制备 Sm S 薄膜的 XRD 研究 黄剑锋 　曹丽云 熊信伯 沈 　清 　罗宏杰 　金 　平 ( 陕西科技大学) 　(西北工业大学) 　 ( 陕西科技大学) 摘 　要 : 　分别采用 Sm S 的单靶溅射法和 SmSm S 的双靶溅射法 ,于单晶 Si 基板上制备了常温常压下稳定存在的 S 2 3 2 3 Sm S 和 MSm S 微晶薄膜 ,并采用卢瑟福背散射仪及薄膜 X射线衍射仪系统地研究了基板温度和溅射功率对薄膜微晶 结构的影响规律 。 关键词 : 　溅射 ; 　Sm S 薄膜 ; 　X射线衍射 中图分类号 : 　TQ 136 . 1 文献标识码 : 　A ( ) 8 Sm S 晶体为立方结构 ,在常温常压下是黑色的半导体 SSm S ,其晶格参数为 0 . 597 nm ,在 6 . 5 ×10 Pa ( ) 的应力下 ,Sm S 晶体会经历一个第一顺序的从半导体相向金属相 MSm S 的相变 。格子参数从 0 . 597 nm 减少到 0 . 570～0 . 575 nm 左右 ,颜色将从黑色变为金黄色 ,体积收缩约 16 % ,而且这种相变是可逆的[ 1 ] 。常 温常压下稳定存在的 SSm S 薄膜透过为绿色 ,反射为蓝色或者是偏蓝的黑色 ,在应力作用下发生相转变后 , 薄膜的透过色变成蓝色 ,其反射色则变为金黄色[2 ] 。因此 ,作为一种压变色材料 ,可逆的相变使得硫化钐 ( ) [3 ] [4 ] [5 ] [6 ] Sm S 具有广泛的用途 ,可以用于全息记录和贮存 、光学开关 、制作微小应力计 和光学数字贮存器 等 ,而且这种相变可以通过激光 、掺杂等方法来引发 , 因此它激发起了科研工作者们极大的兴趣 。但早期的 工作主要集中于材料的性质及其相变的理论模型和 Sm 的中间化合价态的研究上 ,而且大都是对 Sm S 晶体 性质的研究[7 ] 。20 世纪 80 年代以后 ,关于 Sm S 薄膜的研究报道逐渐增多 ,研究者多采用反应性蒸镀 、真空 沉积和电子束蒸镀[2 ] 等方法 , 目前国内还未见有 Sm S 薄膜的报道 。首次采用溅射法在硅基板上成功制备了 Sm S 薄膜 ,并比较系统的研究了不同基板温度和溅射功率对溅射 Sm S 薄膜的微晶结构的影响规律 。 1 　实验方法及测试 　　实验采用的溅射靶为 Sm S ( 99 . 99 %) 靶和 表 1 　溅射条件 2 3