静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究.pdfVIP

第 卷，第 期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 ， ， ! ! #$% ! ’$ ! ((!! )!!* 年 月 -(./01$2/$(3 456 -(./014% 754%3282 ， ! + + , 7(18% !++ !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究 章继东，陈京好，邓元明，安 龙，章 昊，杨富华，李国华，郑厚植 中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室，北京 9+++: 摘 要 由于腔模与激子对压力的依赖关系不同，所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合 状态，从而实现对耦合的调谐。利用这种办法，我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的;48 分裂。由 于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小，与以前报道的温度、电场等调谐方式相比，这 种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度，而且能够保持激子的本征性质在整 个调谐过程中基本不变。这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质。将实验结果与压力下激 子与腔模耦合理论进行拟合，得出了正确的;48 分裂值。 主题词 半导体微腔；压力光谱； 分裂 ;48 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） =, 7 9+++)+*? !++ +!)+!!)+ 能量的变化主要来自A472 和L5A472 材料的 谷随外加压力 ! 引 言 的移动；相比之下，压力引起的腔模移动很小，仅仅是由腔 长和折射率随压力的变化引起的。 随着DCE 和D=B#F 等技术的发展，#B-EG 等半导体微 针对上述两种可能发生的情况，需要首先根据耦合振子 ［］ 腔结构在光电器件的研制中得到了广泛的应用，尤其是在红 模型 ，详细分析压力对 ;48 分裂的影响。腔模和激子模 外激光器和探测器方面更是如此。在半导体微腔中，由于 的作用可以利用! M ! N4O8%0$5 矩阵表示为： 光、电磁场模式的量子化，使得光与物质的相互作用发生很 （）