类金刚石薄膜的相变实验研究.docVIP

类金刚石薄膜的相变实验研究 李士一 骆仕丹 裴永其 罗正怡 江晓禹 （西南交通大学，力学与工程学院，四川 邮政编码 6100311） 摘 要：采用等离子体化学气相沉积（PCVD）方法在Si（100）基体上沉积DLC（diamond-like carbon）类金刚石薄膜，利用台阶仪测量了薄膜的厚度和应力, 并用轮廓仪测量了薄膜的相变法向弯曲变形。实验结果表明，沉积后DLC/Si材料发生了明显的相变弯曲变形，产生了很大的残余内应力。产生变形的主要因素是薄膜制备过程中由于相变导致的体积膨胀。 关键词：类金刚石薄膜；相变；残余应力 中图分类号：TQ174 文献标识码：A 0 引言 类金刚石薄膜(diamond-like carbon，简称DLC)是一种非稳态的具有高sp3含量的非晶碳薄膜, 具有类似于金刚石的性能特点，其硬度和耐磨性仅次于金刚石，具有极高的电阻率、电绝缘强度、热导率和光学性能，特别是红外和微波频段的透过性和光学折射率，同时具有良好的化学稳定性和生物相容性等性能特点[1-3]。DLC已广泛应用于机械、电子、光学及医学等领域[4]。由于其优异的力学性能,DLC通常被用作表面保护涂层[5-6] ,而且非晶的DLC薄膜通常十分光滑[7]。膜中的化学键主要是sp3键和sp2键。一般认为，sp3键含量越高，膜层就越坚硬致密，在宏观性质上越类似于金刚石。目前，制备DLC膜的方法可分为物理法（PVD）和化学法（CVD），其中等离子体化学气相沉积法(PCVD)可使基体在较低温度下,利用高频等离子体促进化学反应,从而在基体上沉积薄膜[8,9]。不同的沉积方法制备的DLC膜硬度差异很大，沉积的工艺参数对DLC膜的硬度有影响，膜层内的成分对膜层硬度也有一定影响。DLC膜也有很高的残余内应力，薄膜的内应力是决定薄膜的稳定性和使用寿命并影响其性能的重要因素，而且内应力也会限制膜的厚度[10]。实验发现，残余内应力主要是由于沉积过程中材料发生相变引起的。目前，对于薄膜相变的研究还不够成熟，且没有一种比较明确的方法可以从宏观上来清楚的描述相变的体积变化。 本文采用PCVD方法，在Si基体上沉积DLC薄膜，通过实验方法研究相变引起的材料变形。 1 实验 采用PVCD方法在100℃条件下,在厚度为0.5mm的Si(100)上制备了厚度小于300 nm的类金刚石薄膜(DLC) (分别为样品H 1- H 4)，真空室本底真空度为3.5×10-3Pa。制备参数如表1。 通过样品的拉曼光谱曲线可以得到各样品的G峰和D峰的峰参数(G峰的峰位,D峰与G峰的强度比(I(D)/I(G)))。G峰和D峰的峰参数变化可以显示出薄膜结构、sp3含量的变化趋势。T. Yamamoto等人[11-13]指出，薄膜中sp3与sp2的含量比(sp3/sp2)等于G峰与D峰的强度比(I(G)/I(D)),由此可以计算出薄膜中sp2/sp3百分含量(如表2所示)。Y. Lifshitz等人[14-15]指出,薄膜的力学性能取决于sp3的生长,sp3含量高,薄膜的力学性能越优秀。计算结果表明，除H1外，其他几个样品薄膜中sp3含量均较低。 表1 DLC涂层制备参数 DC，t＝10min，P＝0.16Pa，RF＝500W Table 1 deposition parameters, DC，t＝10min，P＝0.16Pa，RF＝500W Sample number deposition parameters： sample carrier :75.4cm2 Height of target carrier： 0cm（15cm） RF＝600W f＝150HZ τ＝40μs t＝120min Bias Voltage（KV） air pressure（Pa） C2H2：Ar flux（sccm） H1 15 0.16 30：30 H2 15 0.16 40：10 H3 15 0.16 40：20 H4 15 0.16 15：30 Table 2 content of sp2/sp3(Area) Sample number H1 H2 H3 H4 sp2/sp3(Area) 0.53 2.41 2.39 4.82 图1 变形与应力检测示意图 图2 H1#薄膜的相变法向弯曲变形 Fig.1 sketch map of measure path Fig.2 normal bending deformation of sample H1# 图2中，C1表示图1中的C1线，C2表示图1中的C2线，D1表示图1中的D1线, D2表示图1中的D2线，以下均同。图