非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析3.pdfVIP

第 51 卷 第 4 期 2002 年 4 月 物 　理 　学 　报 Vol. 51 ,No. 4 ,April ,2002 ( ) 10003290200251 04 086304 ACTA PHYSICA SINICA 2002 Chin. Phys. Soc. 非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析 林揆训 　林璇英 　梁厚蕴 　池凌飞 　余楚迎 　黄创君 (汕头大学物理系 , 汕头　515063) ( ) 2001 年 4 月 7 日收到;2001 年 9 月 29 日收到修改稿 　　在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min. 退火温度为 500 ℃时 ,薄膜表面 ( ) 形成了硅铝的混合相 , 非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 550 ℃时 ,大部分 约 80 % 的非晶硅晶化为多 晶硅 ,平均晶粒尺寸为 500nm ; 退火温度为 600 ℃时 , 几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅 ,其平均晶粒尺寸约为 15μ m. 关键词 : 固相晶化 , 多晶硅薄膜 , 非晶硅薄膜 PACC : 6470K, 6822 , 8130 会明显的加快晶化的进程 ,缩短晶化时间. 但通常 1 引 言 都不短于 30 min[15 ,16 ] . 本文报道了在蒸镀了一层铝膜的廉价玻璃衬底 与非晶硅薄膜比较 , 多晶硅薄膜具有较高的电 上高速生长的非晶硅薄膜 , 分别在 500 ,550 和 600 迁移率和稳定的光电性能 ,是制备微电子集成电路、 ℃温度下退火 10min ,当退火温度为 600 ℃时 , 几乎 彩色电视和计算机终端等大面积平面显示的驱动电 完全晶化为多晶硅薄膜. 在这么低的退火温度和这 路以及薄膜太阳能电池的优质材料[1 ,2 ] . 用高氢稀释 么短的退火时间内薄膜的组分结构、形貌结构、晶粒 的硅烷射频辉光放电等离子体化学气相沉积工艺可 大小和晶化率就成为普遍关注的问题 , 也是本文所 以制备多晶硅薄膜, 但沉积速率太低 , 不适用于规 要分析和讨论的重点. 模性生产. 对非晶硅薄膜进行激光照射或热退火等 后处理工艺是制备多晶硅薄膜的重要方法. 激光照 2 非晶硅薄膜及其固相晶化实验 射所制备的多晶硅薄膜具有低的缺隙态密度. 但 是 , 由于激光束的束斑小,难于制备大面积的多晶硅 在电容式等离子体化学气相沉积装置上 ,采用 [3 —6 ] ( ) - 1 薄膜 ;热退火固相晶化 SPC