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32 9 Vol. 32 No. 9
第 卷 第 期 发 光 学 报
2011 9 Sept． ，2011
年 月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
文章编号:1000-7032 (2011)09-0929-05
PrF3 阳极缓冲层对OLED 器件性能的影响
1 ，2 1 1*
， ，
廖亚琴 陈 红 刘星元
(1． ， 130033 ;
中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所 吉林长春
2 ． ， 100039)
中国科学院研究生院 北京
摘要: OLED ， PrF ，
使用真空热蒸镀法制备的 器件 利用不同厚度的 3 作阳极缓冲层 并和未加缓冲层的器件进
。 :0 ． 5 nm PrF OLED ，
行了对比 实验结果表明 厚的 3 阳极缓冲层可以有效增强 器件的空穴注入能力 增强电
2
， 。 4． 9 cd/ A， 33 600 cd/ m ，
子和空穴的浓度平衡 优化器件的电致发光特性 器件的最大电流效率为 最大亮度为
2
(3． 7 cd / A ， 12 230 cd / m ) 1． 3 2 ． 75 。
分别是未加入缓冲层的常规器件 最大亮度为 的 倍和 倍
: ;PrF ; ;
关 键 词 有机电致发光器件 3 空穴缓冲层 功函数
中图分类号:TN383． 1 PACS :78． 66． Qn ;78． 60 ． Fi PACC :7860F ;7865T 文献标识码:A
DOI :10 ． 3788 / fgx． 0929
常见的方法是在电极与有机界面加入一层超薄缓
1 引 言
， ，
冲层 降低界面的注入势垒 达到增强载流子注入
(OLED) 。 Al
有机电致发光器件 由于其低廉的成 的目的 例如在
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