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2007年 3月 润滑与密封 M ar2007 第 32卷 第 3期 LUBR ICA TION EN GIN EER IN G Vol32 No3 分散剂对铜 CMP材料去除率和表面粗糙度影响的实验研究 1, 2 1 1 1 1 李庆忠 　金洙吉 　张 　然 　康仁科 　郭东明 ( 1. 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室 　辽宁大连 116024; 2. 沈阳航空工业学院　辽宁沈阳 110034) 摘要 : 使用 5种分散剂 , SiO 水溶胶为磨料 、H O 为氧化剂 , 分别进行抛光实验 。结果表明: 二乙烯三胺和吡啶 2 2 2 2种分散剂相对较好 , 二乙烯三胺 (质量分数 005% ) 对铜的材料去除率达到 57020 nm /m in, 表面粗糙度为 Ra 1076 0 nm , 吡啶 (质量分数 075% ) 的材料去除率为 37369 nm /m in, 表面粗糙度为 Ra 1577 6 nm ; 二乙烯三胺提高了抛光 液的碱性并增强了对铜金属的腐蚀作用是材料去除率提高的主要原因 , 其多胺基的极性吸附和与胶体分子羟基的化学键 作用提高了抛光液磨粒胶体表面的 zeta 电位 , 较大的分子链有效地提高了磨料粒子间的空间排斥力 , 故较好的纳米磨料 粒子分散性使抛光表面粗糙度降低 。 关键词 : CM P; 分散剂 ; 铜 ; 去除率 ; 粗糙度 中图分类号 : TN 405　文献标识码 : A 　文章编号 : 0254 - 0 150 (2007) 3 - 070 - 3 Exper im en ta l Study on Influences of D ispersan t on M a ter ia l Rem ova l Ra te and the Surface Roughness of Cu CM P 1, 2 1 1 1 1 L i Q in gzho n g 　J in Zhuji 　Zh a n g R a n 　Ka n g R e nke 　Guo D o n gm in g ( 1. Key L aboratory for Precision and Nontraditional M ach in ing Techno logy of M in istry of Education , D alian U n iversity of Techno logy, D alian L iaon ing 116024 , Ch ina; 2. Shenyang In stitu te of A eronau tical Engineering, S