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2003 年科研工作总结 主要工作进展和成绩 2003 年完成了实验室的搬迁，新增实验室设备已圆满地完成了安装调试，为完成我 室科研目标奠定了基础。全年争取科研项目 7 项，到位科研经费近 200 万元，争取设备 研制项目1项；1人次获安徽省人才基金，1人次获合肥市优秀青年奖；省重点实验室建 设取得了重大进展。在全室人员的共同努力下，深入全面地开展了 “973”、院创新项 目及各项国家、省基金项目的科研工作，完成了各项预定的任务。科研工作取得了较好 的成绩，获安徽省自然科学一等奖一项；全年共发表论文51 篇，其中SCI论文47 篇， 国际会议论文两篇；国内邀请报告3篇，申请发明专利3项，已获专利3项； 1． 突破性进展 1）大尺度二维有序孔阵列的可控生长 大尺度形态可控二维有序孔阵列的生长一直是人们面临的跳战。 我们基于近来成功 合成的大尺度二维胶体晶体，提出了溶液浸渍－模板合成策略，通过前驱体溶液的浓度 及相应的处理，成功地实现了大尺度二维有序孔阵列的形态控制，这一技术具有普适性， 可在任何衬底上实现金属、半导体、化合物的大尺度二维有序孔阵列的可控生长。这种 纳米结构阵列在能量存储或转换、 传感等方面存在广泛应用前景，尤其是在下一代集成 纳米光子器件、生物分子的标记和识别等领域有着重要的意义。这一成果业已作为 full paper 很快被 Adv. Funt. Mater.录用发表，审稿人给予了较高的评价，认为 “所提出 的溶液浸渍－模板合成技术是合成有序孔阵列的一种重要的新策略，从事纳米技术的人 们将会发现这是一种灵便的制造/合成工具” 2）利用大孔氧化铝模板合成小尺寸纳米线 利用氧化铝有序模板合成纳米线有序阵列一直是该领域研究的热点，为了追求小于 20nm 直径纳米线的合成，人们把攻关的目标集中在小尺寸模板的制备。利用大孔径氧化 铝模板合成小尺寸纳米线是一种完全不同的合成路线。近年来，我们采用脉冲电化学沉 积技术，通过调整脉冲电沉积参数，控制离子的沉积速度和数量，成功地在孔径达73纳 米的氧化铝模板内合成了最小尺寸为 6.5 纳米的金属铋纳米线，这一技术上的突破为研 究半金属纳米线的相变和负电阻温度行为奠定了基础。 3）长余辉纳米线的合成 铕掺杂铝酸锶是长余辉黄绿光重要的显示材料，在下一代显示器件中占有重要的地 位。目前，国内外只能合成粗颗粒的长余辉材料，我们采用多元化学共沉淀方法，利用 软模板技术成功地合成了掺杂稀土铕的铝酸锶、铝酸钙和铝酸钡纳米线，直径为几十纳 米，长度为几微米。黄绿光和蓝绿光的长余辉时间超过 4 小时，这一工作不但突破了人 们传统上所认为的纳米尺度的铝酸锶不可能有长余辉的观点，而且为扩大长余辉材料的 更广泛应用奠定了基础。 4）纳米线栅的光偏振 今年，我们和安徽光机所合作，成功地设计完成了国内第一台纳米线栅光偏振测量装 置，系统地研究了金属纳米线的光偏振性能，在Adv. Func. Mater等刊物上发表了7篇 学术论文。到目前为止国际上尚未见类似的报道。 5）金纳米结构的介孔组装及其可调光学特性 金属纳米材料与块体介孔固体的组装体系对下一代光通讯领域的器件微型化具有重 要意义。通过浸泡及随后的超声辐照,或介孔固体孔壁的低温还原效应，实现了金纳米颗 粒及纳米丝/介孔固体的原位组装，利用超声功率、随后的热处理实现了介孔组装体系的 光学性质从近红外至可见光区的大范围人为控制。揭示了介孔孔壁基团对离子还原的重 要性及金纳米结构的热稳定性，阐明了介孔内金纳米结构生长过程及光学性质移动的物 理起因。 6） 金属纳米线的有序阵列 金属铋和锑都是重要的热电材料，而对应的纳米线阵列的热电性能非常优越。我们 采用脉冲电化学沉积，成功地实现了金属单晶铋和锑纳米线阵列尺寸和取向可控生长， 首次测量到单晶锑纳米线阵列的金属－半导体转变，揭示了单晶结构与非晶或多晶结构 不同的能带结构。同时，成功地制备了 Bi-Bi 和 Bi-Sb 单结和多结纳米线阵列，为进一 步实现纳米线超晶格阵列奠定了基础。 7）变温X射线衍射研究纳米线的热膨胀特性 我们利用多孔氧化铝为模板制备半导体和金属纳米线，然后利用变温 X 射线衍射测 量纳米线在不同温度下的晶格常数随温度变化特性。结果发现：（1）对于六方结构的AgI 纳米线，（001）面的面间距随温度呈现热收缩特性，原因是由于六方相向立方相的转变。 同时发现相应于块体材料，纳米线的相变温度有一定的升高。（2）对于金属纳米