效率、发光角度和衰减的影响.pdfVIP

2008中国半导体照明应用技术论文集 39 硅胶和荧光粉涂覆形状对lW发光二极管发光 效率、发光角度和衰减的影响 邹 军 诸建平 汪文良吴祖通诸 婉 (浙江聚光科技有限公司) 摘要：硅胶和荧光粉涂覆技术是大功率LED封装的关键之一，本文探索了一种适合大功率1W的 LED硅胶和荧光粉涂覆技术——先填充足量硅胶，再涂覆荧光粉技术。研究发现其发光效率(64．2 1m／W)高于其它封装方式，且其光强发散角也较大(124．7。)；测试其光衰发现，点亮s分钟(电压 稳定)后，此封装法的衰减最小，而且点亮1000小时后，衰减小于1．5％，远小于其它的封装方式。 关键词：大功率LED封装固态照明白光LED 一、引言 LED产品的生产和应用受到了世界各国的普遍关注，欧盟分别于1996年和2000年出资启动了 “绿色照明革命”和“彩虹计划”项目，大力推动白光LED的应用；美国于2000年耗资5亿美元 推动了“国家半导体照明研究计划”旨在降低LED生产成本和提高光电转化率；日本早在1998年 就开展了“2l世纪光计划”工程，目前又启动了“照明日本”工程，计划在5年内投资50亿日元 将公共场所50％的传统灯具换成LED灯。我国于2003年启动了“国家半导体照明工程”，当时LED 国已成为世界上LED的主要生产基地和消费市场。LED照明包括三项关键技术：LED芯片制造、 封装和荧光体制备，但是LED芯片和荧光体制备技术已被世界级照明公司(如日亚，飞利浦和欧司 朗等公司)垄断。所以封装技术被列为我国研究开发重点。随着LED芯片发光效率的提高，大功率 LED(如1W，3W，5W，10W，50W，100W甚至200WLED灯)的封装引起了广泛的关注，很多公 司往往采用小功率封装技术封装多颗大功率芯片造成了热量难以散失，色度不均，荧光粉老化，发 光效率低和寿命短等不良后果，故必须开发适合大功率LED封装的技术，大功率封装涉及到很多方 面(如贴片技术，导热材料，焊接技术和散热材料等等)，但是硅胶和荧光粉涂覆技术是这些技术中 的关键。本文研究了贴片式封装过程中硅胶填充和荧光粉涂覆对1WLED灯的发光效率，平均光强 扩散角度和衰减的影响，开发出一种适合大功率1W的LED封装的技术。 二、试验 一、佤疆 选用台湾晶元1W蓝光LED芯片5颗，选用Dowcoming的硅胶和YAG：Ce荧光粉，采用共晶 技术将芯片焊接在铝基板上(基板直径为25mm，厚度为lmm)，金线电极，硅胶和硅胶混合的荧光 粉涂覆如下图所示。 2008中国半导体照明应用技术论文集 图l五种硅胶和荧光粉涂覆方击 具体情况如下： 图1中的1少量硅胶涂覆在芯片上，150℃烘烤半小时后，在烘烤后的硅胶上涂覆硅胶和荧光粉混合 物．接着烘烤1小时，测试其各项光学性能。 图1中的2足量的硅胶涂覆在芯片上．150℃烘烤半小时后，在烘烤后的硅胶上涂覆硅胶和荧光粉混 合物，接着烘烤1小时．测试其各项光学性能。 图1中的3少萤硅胶涂覆在芯片上，150℃烘烤半小时后，在烘烤后的硅胶上涂覆硅胶和荧光粉混台 物．接着烘烤】小时，测试其各项光学性能。 罔1·}I的4少量硅胶涂覆在芯片上，150℃烘烤半小时后．任烘烤后的硅胶上涂覆硅胶和荧光粉混合 物．接着烘烤】小时．测试其各项光学性能． 图l中的3直接在芯片上涂覆硅胶和荧光粉混合物．烘烤I小时．测试其各项光学性能。 参数和平均光强扩散角．测试方式分为恒流350mA瞬时点亮测试和点亮5分钟后测试两种(我们 研究发现单瓦LED灯点亮s分钟后其电压不再变化，发光效率也基本不再变化．此法衡量LED的 各项光学参数应更准确)。光衰测试采用点亮lI啪小时后测试。 三、结果与讨论 将所有的样品瞬时点亮测试其各项光电学性能，表1为测试结果． 封装后LED的发光效率和平均光强扩散角度0(5fl％)【瞬时点亮测试J 样品 电压(v) 色温(kJ 平均光强扩散角 光通量(Im) 发光效率(Ira／W) l 7694 3424