InAsPGaAs柱形岛的制备及特性研究3.pdfVIP

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2017-09-16 发布于重庆
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第 53 卷第 1 期 2004 年 1 月物　理　学　报 Vol . 53 ,No . 1 ,January ,2004 ( ) 10003290200453 01 030105 ACTA PHYSICA SINICA 2004 Chin . Phys. Soc . InAsGaAs 柱形岛的制备及特性研究 ) ) ) ) ) ) ) ) ) 1 2 1 1 1 1 2 1 1 朱天伟　徐　波　何　军　赵凤瑷　张春玲　谢二庆　刘峰奇　王占国 ) 1 ( 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 , 北京　100083) 2) (兰州大学物理科学与技术学院, 兰州　730000) (2003 年2 月21 日收到;2003 年4 月 17 日收到修改稿) ( ) 　　利用固源分子束外延 MBE 的方法经 SK 模式自组装生长由多层 InAs/ GaAs 量子点组成的柱形岛. 具体分析了 ( ) GaAs 间隔层厚度 ,生长停顿时间以及 InAs 淀积量对发光峰波长的影响. 原子力显微镜 AFM 结果显示柱形岛表面的 μ 形状和尺寸都比较均匀 ;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到 132 和 14 m ,而单层量子点的发光波 μ 长仅为 11 m ,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响 ,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法. 关键词 : 柱形岛, 生长停顿 , 间隔层厚度 , PL 谱 PACC : 7865K , 7280E , 7360F ( 量子点直接接触 ,形成高度很高的柱形结构的岛简 ) 1 引言称柱形岛 . 柱形岛的优点是其有效高度可以通过生长参数如 InAs 淀积量、GaAs 间隔层厚 ,以及叠加层数由于量子点具有 δ函数的态密度 ,在光电子器等自由控制 ,从而实现对发光波长的自由调节[ 10 ,11] . 件领域有着潜在的广泛应用 ,应变自组装量子点的研我们先研究了主要的生长因素 ,具体包括 GaAs 究引起了人们的极大兴趣 , 研究得最为深入的是间隔层厚度