模拟电子技术基础第1章 半导体4.pptVIP

结束 D S B G N 沟道增强型场效应管 NPN 型三极管 e c b G------- b D------- c S------- e 与 NPN 三极管相似， NMOS管为电压控制器件，当 vGSVGS(th) ,NMOS 管导通（正电压控制）。 N P P G S D G S D P 沟道增强型 四、P沟道增强型MOS管的结构示意图 与 PNP 三极管相似， PMOS 管为电压控制器件，当 VgsVGS(th) ,PMOS 管导通（负电压控制） 。 D S B G P沟道增强型场效应管 e c b PNP型三极管 五、N沟道耗尽型MOS管的结构示意图 :夹断电压 P49 图 * * 模拟电子技术基础 信息科学与工程学院基础电子教研室 1. 输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE(V) 3 6 9 12 IC(mA ) IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 1 2 3 4 5 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 2. 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 发射结正偏，集电结反偏。 c e b P N N 5 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 UBE0 UCEUBE IC只与IB有关，IC=?IB。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 临界饱和线 发射结正偏，集电结正偏。 c e b P N N 输出特性三个区域的特点: 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 电压关系： （NPN) 电压关系： （NPN) （PNP) c e b P N N 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 电流关系： IC=?IB , 且 ?IC = ? ?IB （PNP） 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 电流关系： ?IBIC 1.3.4 晶体管的主要参数 一、直流参数 二、交流参数 1. 共射直流电流放大系数β 2. 共基直流电流放大系数α 1. 共射交流电流放大系数β= =常数 2. 共基交流电流放大系数 α= =常数 通常认为： ， 三、极限参数 1. 最大集电极耗散功率PCM 2. 最大集电极集电极电流ICM 3. 极间反向击穿电压UCEO 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对输入特性的影响 二、温度对输出特性的影响 温度升高时， 特性曲线上移。 温度升高时， 特性曲线左移。 0.7V 4V 0 0.7V 0.3V 0 0 4V 0 【例2 】判断以下三极管的工作状态。 放大 饱和 截止 1.15 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 解题思路 (1)三极管处于放大状态 (2)确定基极和发射极 (3)确定三极管为硅管还是锗管 (4)确定为何种类型 1.15 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 硅管 硅管 硅管 锗管 锗管 锗管 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: 1.4 场效应管 场效应管：利用输入回路的电场效应来控制输出回路 电流的一种半导体器件。 1.4 .1结型场效应管 结型场效应管分N沟道和P沟道两种： 导电沟道 一、结型场效应管的工作原理 一、结型场效应管的工作原理 1、uGS对导电沟道的控制作用(uDS=0) uGS=0 uGS(off)uGS0 uGS =uGS(off) 导电沟道消失时uGS的值为夹断电压uGS(off)。 一、结型场效应管的工作原理 2、UGS(off) uGS 0且uDS 0的情况 导电沟道电阻由uGS决定， 漏源之间呈现电阻特性。 预夹断 uGD=uGS(off) UGS(off) uGS 0且uDS 0的情况 若uGS 继续增大，夹断区增长; iD电流几乎仅由uGS来决定，呈现恒流特性。 uGDuGS(off) 二、结型场效应管的特性曲线 1、场效应管的输出特性 恒流区：漏极电流受删-源电压控制， 故称其为电