利用各向同性半导体晶体差频产生可调谐辐射的理论研究.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 6 %##$ ， ， ， S?; -6 R? - T9FDG %##$ （ ） (###)%’#O%##$O6 # O (’#)#$ LP*L /+QM4PL M4R4PL %##$ PG:2 - /GU - M?D - 利用各向同性半导体晶体差频产生可调谐!# 辐射的理论研究! ! 孙 博 姚建铨 王 卓 王 鹏 （天津大学精仪学院激光与光电子研究所，光电信息技术科学教育部重点实验室，天津 ###$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %## ’ ( %## ’ # 理论研究了利用剩余射线带色散补偿相位匹配原理，在 ) 族和 ) 族光学各向同性的半导体非线性晶体 ! # $ 中差频产生可调谐 波的可行性问题 根据这些半导体材料的色散特性，并以近简并点双共振 的可调 *+, - .*/)0/0 谐相干双波长输出作为差频抽运源，对它们的相位匹配能力、差频增益特性、品质因数以及差频过程中的相干长度 进行了理论分析和计算，确定了 晶体是在共线相位匹配情况下较为理想的 波差频晶体，而 晶体则更 12*3 *+, 42/ 适合用于非共线相位匹配情况- 关键词：非线性光学， 辐射，差频，各向同性半导体晶体 *+, ： $% 5%6. 以获得较宽的*+, 波调谐范围，还可以得到较高的 (E 引 言 输出功率，从而为开发潜在的*+, 波应用领域提供 了性能优 良的辐射源- 目前，有机非线性晶体 ［］ 太赫兹波（ ， ），是指频率在 % A3F9G3FA, H9I3 *+, H9I3 （ ） 以及具有双折射特性的半导体材料 KLM* ［，］ # E (—(# *+, 范围内的电磁波，其波段位于电磁波谱 （ 5 ， 等） 已经被广泛用作产生 波 12N3/% N9M3 *+, 中毫米波和远红外光之间（ —