金属肖特基势垒研究.pdfVIP

维普资讯 锄 NanoelectronicDevice ＆ Technolog 原位电化学法制备纳米尺寸 金属肖特基势垒研究 符秀丽，王太宏 (中国科学院物理研究所，北京 100080) 摘要：介绍了原位 电化学方法在半导体表面制备纳米尺寸 肖特基势垒的工艺，讨论了其制备原 理和实验条件，描述了纳米尺度金属／半导体界面特性，并对这种方法制备的肖特基势垒与传统 方法制备的 肖特基势垒进行 了比较 ，这种制备 肖特基势垒的方法克服 了传统制备方法的缺点， 所形成的金属一半导体界面光滑无缺陷；生成的纳米尺度金属 肖特基势垒可用于制备单电子晶体 管、单电子存储器等纳米器件。 关键词：肖特基势垒；原位电化学方法；脉冲电镀；纳米金属点 中图分类号：TN304．23；TN305 文献标识码：A 文章编号：1671-4776(2002)ll一0005—05 Study on thefabrication of nanometer．sized metal-semiconductor interfacesby in situ electrochemicalprocess FU Xiu—li，W ANG Tai—hong (InstituteofPhysics，ChineseAcademyofSciences，Bejiing100080，China) Abstract：Theformationofnano—metalarrayon GaAsand InP substrate by in situ electrochemi— cal process and the properties of the nanometer-sized metal—-semiconductor interfaces are intro—- duced in thispaper．Th e mechanism ofelectrochemicalprocessand the effectsofthe experiment conditionson thepropertiesare discussed．Th ismethodovercomesmany disadvantagesofconve~ tionalmethod，the metal—semiconductor surface issmooth，the nanometer-sized Schottky barrier beingfomr edcanbeused in fabricatingSET，SEM etc． Key words：Schottky barrier；in situ electrochemicalprocess；pulseplating；metalnano—dot 因为纳米器件的可靠性和稳定性均与半导体的表 1 引 言 面状态有关 ，纳米器件的性能主要取决于能否形 随着传统半导体器件特征尺寸的下降以及人 成具有牢固栅控特性的肖特基势垒。 们对纳米器件兴趣的提高 ，在 n型 GaAs、InP等 形成肖特基势垒的传统方法有： (1)电子束 半导体衬底表面形成无界面缺陷、无氧化物、无 沉积 (EBD)法，该法会在半导体表面附近引入诱 应力的纳米尺寸 肖特基势垒具有十分重要的意义 ， 导的深能级 】『]，这种深能级将导致连接质量的降 收稿 日期：2002—08-24 基金项 目：国家自然科学基金资助项 目 ；国家重点基础研究专项经费资助项 目 (G2001CB3095) 冽 ． ／N0vember2002 ●I