退火对FeMn钉扎自旋阀性质的影响3.pdfVIP

第 51 卷 第 8 期 2002 年 8 月 物 　理 　学 　报 Vol . 51 ,No . 8 ,August ,2002 ( ) 10003290200251 08 184605 ACTA PHYSICA SINICA 2002 Chin . Phys. Soc . 退火对 FeMn 钉扎自旋阀性质的影响 柴春林1) 　滕 　蛟2) 　于广华2) 　朱逢吾2) 　赖武彦3) 　肖纪美2) 1) ( 中国科学院半导体研究所半导体科学实验室 ,北京 　100083) 2) (北京科技大学材料物理系 ,北京 　100083) 3) ( 中国科学院物理研究所 ,北京 　100080) (2001 年 11 月 8 日收到 ;2002 年 2 月 2 日收到修改稿) 　　通过对退火后 FeMn 钉扎自旋阀磁性的研究表明 ,真空退火对 自旋阀的性质有影响. 低于 200 ℃的退火能有效 的提高钉扎场 ;退火温度高于 200 ℃时 , 自旋阀的钉扎场要下降 ,其他性能也恶化 ;在 300 ℃时 ,钉扎场降为零 ,giant ( ) ( ) magnetoresistance GMR 现象消失. 俄歇电子能谱仪 AES 的结果表明 ,在 自旋阀多层膜中存在着晶界扩散. 关键词 : 真空退火 , 自旋阀 , 晶界扩散 PACC : 7570P , 9160P 扩散 ,在相同的条件下制备了基片TaNiFeFeMnTa 1 引 言 结构的多层膜. 在经相同条件的退火后 ,利用俄歇电 ( ) 子能谱仪 AES 研究了NiFeFeMn 层之间的互扩散 , 自旋阀结构多层膜具有频率特性好 、工作磁场 并利用 Fisher 模型分析 了 NiFeFeMn 层之间的互 小 、灵敏度高和信噪比高等优点而率先进入实用化 扩散. 阶段 ,得到了广泛的研究. 目前 ,用作 自旋阀钉扎层 的材料有很多种 ,如 FeMn ,NiMn ,CrMn ,NiO 等[ 1 —11] . 2 实 验 其中 FeMn 仍旧是研究得很多的一种材料 ,这主要 是由于其钉扎场较大 ,靶材料容易制备. 第一个自旋 自旋阀多层膜是用磁控溅射法制成的 ,基片有 阀的钉扎场约在 25 ×10 - 2 T 以上 , 目前这种材料的 水冷却. 在经过清洗后的单晶硅基片上依次镀膜为 钉扎场已能达到 4 ×10 - 2 T 左右. 自旋阀的应用不仅 Ta ( 10nm) NiFe ( 5nm) Cu ( 2 . 5nm) NiFe ( 3nm) FeMn 与其磁场灵敏度有关 , 而且还 与其热稳定性有 ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 10nm Ta 6nm A 组 和 Ta 20nm NiFe 15nm 关[ 12 —20 ] . 在 自旋阀制作成计算机硬盘读头过