符合多普勒展宽谱的源修正研究.pdfVIP

第22卷 第 3期 原 子 核 物 理 评 论 Vo1．22．No．3 2005年 9月 NuclearPhysicsReview Sep．，2005 文章编号：1007—4627(2005)03—0267—05 符合多普勒展宽谱的源修正研究 苏本法，王 柱 ，黄长虹，王少阶 (武汉大学物理科学与技术学院，湖北 武汉 430072) 摘 要 ：测量 了Ti，Ni，Cu，Al以及si的符合多普勒展宽谱。对于 Ni的多普勒展宽谱，采用最小 二乘法拟合得出其 中的源强度。给出了源修正前后湮没量子在 si中的多普勒展宽谱，讨论 了源 成分的影响。用高斯．抛物线模型拟合多普勒展宽谱 ，将多普勒展宽谱 中自由电子的湮没贡献和 束缚电子的湮没贡献分开，进而探讨了只对束缚电子的湮没贡献做源修正的方法。 关 键 词 ：正电子湮没；符合多普勒展宽谱 ；源修正；最小二乘法 中图分类号 ：057 文献标识码 ：A 1 引言 子的结合能，P 为正负电子对在探头方向的动量分 量。因E 较小 ，可以忽略，这时E。和 E 满足 ： 正电子湮没谱学作为一种研究固体中缺陷的常 El+E2 = 2m0c。 (3) 用手段，其原理是：正电子注入到固体 中，经过热 ， 化过程 ，最后和电子湮没发射 出一对 511keV的 El—E2=cPL， (4) 光子 ，通过测量湮没辐射所带出的电子密度和电子 经过符合，测量本底大大降低 ，可以将峰本 比提高 动量密度研究固体缺陷。常用 的研究手段包括正 电 到 105_ ，分辨率也提高了 倍 J。通过符合多普 子寿命谱测量、多普勒展宽谱}J几0量以及正 电子湮没 勒展宽测量，可以利用高动量电子的湮没信息研究 辐射角关联测量 。 缺陷周围的化学环境 。 由于正电子寿命反比于缺陷处的电子密度 ，正 由于正电子实验所采用的放射源在制备过程中 电子寿命谱方法一般可以给出缺陷的大小、密度、种 通常采用薄膜材料进行封装，因此正电子在膜 中的 类和电荷态等信息 ¨j。而符合多普勒展宽测量则具 湮没成分需要加 以考虑并扣除。在正 电子寿命测量 有正电子寿命谱测量所不具备的优点，它可以给出 中，源修正的工作 已经做 了很多并逐步趋于完 缺陷周围的化学环境 ，可以起到鉴别元素的作用 j。 善 j。而在多普勒展宽测量 中，源修正的工作相 传统的单探头多普勒展宽谱测量的本底很高， 对较少，且一般采用解寿命谱 的方法来确定源成 峰本 比约为 10，高动量 电子的湮没信息被覆盖， 分 ’，但是如果采用 Ti和 Ni金属薄膜封装放射 无法得到有用的信息。符合多普勒展宽谱仪是在此 源