高分辨场发射俄歇电子探针研究纳米锗硅量子点结构的表面组分分布.pdfVIP

维普资讯 薛菲等 高分辨场发射俄歇电子探针研究纳米锗硅量子点结构的表面组分分布 高分辨场发射俄歇电子探针研究纳米锗硅量子点结构的表面组分分布 薛菲，刘俊亮 (宝山钢铁股份有限公司研究院，上海 201900) [摘 要] 纳米结构单体组分分布的研究对基础研究及应用探索具有非常重要的意义。应用高分辨场发射俄歇电子能谱和 扫描电子束对在550％和640％生长温度下分别沉积在硅单晶衬底上的纳米锗硅量子点结构的形貌和表面组分分布进行观察，结果 表明：表层分布元素不是纯锗、硅或均匀单一的锗硅舍金，而是不均匀分布的锗硅混合物。纳米结构内，元素呈不均匀分布，锗元素 富集在中心部位。640％生长温度下的相同形貌的纳米点结构显示不同的元素分布性质。纽分分布的巨大差异是 由不同温度下硅 向锗中不均匀偏析所致。 [关键词] 俄歇元素面分布扫描 ；纳米结构；量子点；元素分布 [中图分类号]0582；TB383 [文献标识码]A [文章编号]1001—3660(2008)05—0024—02 Studyon theSurfaceCompositionDistribution ofGeSi NanostructuresbyHighResolutionFE-AESandSEM XUE Fei，LIUJunlfitng (BaosteelInstituteofBaoshanIronSteelCo．，Ltd．，Shanghai201900，China) [Abstract] High—resolutionschottkyfieldemissionAugerelectronspeetroscpy(FE—AES)andscanningelectron microscopy(SEM)wereusedtoinvestigatethesurfacetopographyanddistributionofthelateralcompositionofGeQDs grownbymolecularbeamepitaxyonSi(001)substrate．Twotypesofsamplesgrownat550~Cand640~Cwereinvestiga— tedrespectively．ResultsdemonstratethatthedotlateralcompositionisneitherpureGenorSinorhomogeneousGexSil— x，butthemixtureofSiandGe Thecompositiondistributionisasymmetricinonedome—shapeddot，showedlowerGe concentrationintheperiphm~partandhigherGeeoncentrationinthecenterpart．Domesgrownat640％ show different compositiondistributionfeatureseveninsameshapeddomes．Thisnoticeabledifferencecanbeattributedtothedifferent degreesofSialloyingintotheGeQDsatdifferentgrowthtemperatures． [Keywords] Augermapping；Nanostructures；QDs；Compositiondistribution 右)和很高的表面检测灵敏度(1～10nm)，并能对样品表面微特 0 引 言 征结构进行点、线和选区面积的显微电子能谱分析，是材料表面 界面分析中非常有力的手段。到 目前为止 ，未见利用高分辨场 自组装量子点作为～种近来发现的很有价值的纳米结构， 发射俄歇电子能谱和扫描电子束对不同生长温度下的单个锗硅 尺寸一般为 10～200nm，在低维