英寸GaAs015Λm准分子激光光刻技术.pdfVIP

第 35 卷　第 3 期 半　导　体　情　报 V o l. 35 N o. 3 1998 年 6 月 SEM ICON DU CTO R IN FO RM A T ION J un. 1998 工艺研究 3 英寸 GaA s 0 5m 准分子激光光刻技术 刘玉贵　尚秀红　陈沐章　阎　伟 ( 电子工业部第十三研究所, 石家庄 05005 1) 摘要　详细叙述了准分子激光的工作原理和工艺特性, 介绍了准分子激光光刻实验及 3 英寸基片均匀性补偿试验的研制结果。 关键词　准分子激光　光刻 Exc im er L a ser Photoetch in g Techn ique W ith 3 in GaA s 0 5m L iu Yu gu i, Sh an g X iuhon g , Ch en M uzh an g , Y an W ei (T he 13th I ns titu te, M in is try of E I , S h ij iaz huang 05005 1) A bstract　T h is p ap er de scr ib e s th e p r in cip le an d th e p rop er t ie s o f excim er la ser , an d in t ro du ce s th e re su lt s o f th e excim er la ser p ho to etch in g exp er im en t s an d 3in sub st rate un ifo rm ity com p en sat in g te st. Keywords　Excim er la ser　Pho to litho g rap hy 1　引　言 率在 85% 以上, 该项技术为我国首例。 GaA s 3 英寸 05m 加工线 90 11 工程准 2　准分子激光 分子激光光刻机采用先进的准分子激光器作光 2 1　准分子激光的概念 源, 用 386 微机控制气路、激光发射和电路控 197 1 年, 前苏联科学家发现卤族元素与惰 制系统; 光路系统采用J GS I 石英玻璃作透镜; 性气体在强电场下被激活, 形成离子态气, 很 机械系统采用先进的三支点自动找平技术、卡 快构成分子, 但极不稳定, 一部分以光能形式 斯曼结构、预对准技术和机械传送芯片。曝光 释放出来, 一部分还原回去, 形成气体元素。准 ( ) 模式分接近式、软接触、硬接触和真空吸附。套 分子激光产生原理如图 1 以A rF 为例 。 刻精度优于±02m , 第一期工程首先采用了 随着研究的深入, 准分子激光器 70 年代中 激光光学透镜系统, 产生 75 平行光, 期问世, 80 年代研究出可应用的激光器产品。 K rF mm 光强 10 2 , 光源不均匀性≤±35% , 产 常用的惰性气体是 、 、 ; 常用的卤 mW cm