离子束溅射制备SiGe多层膜及红外吸收性能研究.pdfVIP

　第 35卷 第 2 期 　 　　　　　　　 　人 　工 　晶 　体 　学 　报　　　 　　　　 　 Vol. 35　No. 2 　 2006年 4 月 　　　　　　　 　　　 JOURNAL OF SYN THETIC CRYSTAL S　　 　 　 　 　 　 　 　Ap ril, 2006　 离子束溅射制备 S i/ Ge多层膜及红外吸收性能研究 1 2 1 刘焕林 , 郝瑞亭 , 杨 　宇 ( 1. 云南大学材料科学与工程系 , 昆明 65009 1; 2. 中国科学院半导体研究所 ,北京 100083) 摘要 :采用离子束溅射方法在 Si衬底上制备 Si/ Ge多层膜 。通过改变生长温度 、溅射速率等因素得到一系列 Si/ Ge ( ) 多层膜样品。通过 X射线衍射 、拉曼散射 、原子力显微分析 A FM 等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系 。 ( ) 在小束流 10mA 、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的 Si/ Ge 多层膜 。通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品 具有较好的红外吸收性能 。 关键词 : Si/ Ge多层膜 ;离子束溅射 ;红外探测材料 中图分类号 : O48 　 　 　 　 文献标识码 : A 　 　 　 文章编号 : 1000985X (2006) Prepara tion and Infrared A b sorption Properties of S i/ Ge M ultilayer F ilm s by Ion Beam Sputter ing 1 2 1 L IU H uan lin , HA O R u iting , YAN G Yu ( 1. M aterial Science and Engineering D ep artm ent, Yunnan Un iversity, Kunm ing 65009 1, Ch ina; 2. In stitute of Sem iconductors, Ch inese A cademy of Sciences, B eij ing 100083 , Ch ina) (R eceived 5 J u ly 2005, accep ted 7 S ep tem ber 2005) A b stract: Ion beam spu ttering wa s u sed to p rep are Si/ Ge m u ltilayer film s on Si sub strate s. A serie s of Si/