第三讲半导体的激子效应及其在光电子器件中的应用.pdfVIP

讲! 座 半导体微结构物理效应及其应用讲座 第三讲! 半导体的激子效应 及其在光电子器件中的应用! 江! 德! 生( （中国科学院半导体研究所! 半导体超晶格国家重点实验室! 北京! )%%%* ） 摘! 要! ! 人们对半导体中的电子空穴对在库仑互作用下形成的激子态及其有关的物理性质进行了深入研究 + 激子效应对半导体中的光吸收 、发光 、激射和光学非线性作用等物理过程具有重要影响，并在半导体光电子器件 的研究和开发中得到了重要的应用 + 与半导体体材料相比，在量子化的低维电子结构中，激子的束缚能要大得 多，激子效应增强，而且在较高温度或在电场作用下更稳定 + 这对制作利用激子效应的光电子器件非常有利+ 近年 来量子阱 、量子点等低维结构研究获得飞速的进展，已大大促进了激子效应在新型半导体光源和半导体非线性光 电子器件领域的应用+ 关键词! ! 半导体，激子，光电子器件 !#$%’$# ())(#%* $’ *(+$#’,-#%.* /’, %0($. /112$#/%$’* $’ 1%3(2(#%.’$# ,(4$#(* ,-./0 （!#$ %$ ’#()*#)* + )* !,- $*.#/0$1 #23 4/0*)1*,0,*$1 ，521/,$ )+ !$6/0)23,0)*1 ，78/2$1$ 90#3$6 )+ !0/$20$1 ，:$/; /2 )%%%* ，78/2# ） 56*%./#%7 7 852 29:;=6 ;6 2?;:=6@A:=B C=B?2@ DE 2F2:B=6 G 5=F2 HI;B D=A6@ DE J=AF=?D;: ;62BI:;=6 5IK2 D226 L2FF ;6K2;7I2@+ 852 29:;=6;: 2CC2: 5IK2 I 7B2I ;6CFA26:2 =6 H5E;:IF HB=:22 A:5 I =H;:IF ID=BH;=6 ，FA?;62:26:2 ，FI;67 ，I6@ =H;:IF 6=6 G F;62IB;E ，I6@ 5IK2 ;76;C;:I6 IHHF;:I;=6 ;6 2?;:=6@A:3 =B =H=32F2:B=6;: @2K;:2+ -6 MAI6;N2@ 2F2:B=6;: F=L3@;?26;=6IF BA:AB2 52 29:;=6 5IK2 ?A:5 FIB72B D;6@;67 262B7;2 5I6 ;6 DAFO ?I2B;IF ，5=L;67 B=672B 29:;=6;: 2CC2: I6@ D2;67 ?=B2 IDF2 I 5;75 2?H2B3 IAB2 =B A6@2B 5;75 2F2:B;: C;2F@ :=6@;;=6+ 852E IB2 K2BE D262C;:;IF = 52 CIDB;:I;=6 =C =H=32F2:B=6;: @23 K;:2 L;5 ;?HB=K2@ H2BC=B?I6:2+ 852 HB=7B2 =DI;62@ B2:26FE ;6 ;6K2;7I;=6 =6 MAI6A? L2FF ，MAI6A? @= I6@ =52B F=L3@;?26;=6IF BA:AB2 5IK2 7B2IFE HB=?=2@ 52 IHHF;:I;=6 =C 29:;=6;: 2CC2: ;6 ?I6E 62L 2?;:=6@A:=B F;75 =AB:2 I6@ 6=63F;62IB =H=32F2:B=6;: @2K;:2+ 8(9:.,*7 7 42?;:=6@A:=B ，29:;=6 ，=H=3