氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析3.pdfVIP

第 52 卷 第 1 期 2003 年 1 月 物 　理 　学 　报 Vol. 52 ,No. 1 ,January ,2003 ( ) 10003290200352 01 016906 ACTA PHYSICA SINICA 2003 Chin. Phys. Soc. 氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析 罗 　志 　林璇英 　林舜辉 　余楚迎 　林揆训 　余云鹏 　谭伟锋 (汕头大学物理系 ,汕头　515063) ( ) 2002 年 2 月 20 日收到;2002 年 5 月 10 日收到修改稿 ( ) ( ) ( ) ( ) 　　Fourier 红外透射 FTIR 谱技术是研究氢化非晶硅 aSi ∶H 薄膜中氢的含量 CH 及硅 —氢键合模式 SiHn 最 ( ) ( ) 有效的手段. 对用等离子体化学气相沉积 PCVD 方法在不同的衬底温度 Ts 下制备出的氢化非晶硅薄膜 ,通过红 外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分析 ,得到了薄膜中的氢含量 ,硅氢键合模式及其组分 ,并分析了这些参量随衬 底温度变化的规律. 关键词 : 氢化非晶硅薄膜 ,红外吸收谱 ,氢含量 , 硅 —氢键合模式 PACC : 6140 , 6150L ,7830 文对实验测得的整个红外透射谱首先进行基线拟合 1 引 言 处理 ,然后根据 aSi ∶H 薄膜中硅 —氢键合模式所对 应的红外吸收特征 ,对波数为 500 cm- 1 —2500 cm- 1 随着传统能源危机和传统能源对环境污染的日 区域内的红外吸收谱分不同吸收区作高斯曲线拟合 趋严重 ,为实现人类的可持续发展 ,利用太阳能的光 处理并进行数值分析 ,从而得到较为精确的 aSi ∶H 发电 ,实现无污染 、无公害的干净的能源世界 ,受到 薄膜中氢的含量及硅 —氢键合模式的相对比值 ,并 各国的普遍重视. 理论研究和实验都表明 ,高效 、稳 研究这些参量随衬底温度的变化规律. 定 、低廉的氢化非晶硅薄膜太阳电池有可能成为 21 世纪被普遍应用于民用的太阳电池. 目前, 由于 a 2 样品制备和测试 ( ) Si ∶H本身的光致衰退现象 SW 效应 ,使 aSi ∶H 薄 膜太阳电池性能不稳定 、寿命较短 ,使其发展受到限 用等离子体化学气相沉积法沉积 aSi ∶H 薄膜. 制. 一般认为 ,用射频辉光放电等离子体化学气相 制备 aSi ∶H 薄膜技术以前有过详细报道[4 ,5 ] . 衬底 沉积制备的 aSi ∶H 薄膜 ,具有较高的电导 ,较长的 是双面抛光的p 型硅片 ,源气体为纯硅烷 ,沉积时固 非平衡载流子寿命 ,低的能隙密度 ,能够进行可控掺