退火处理对CsBrEu2+光激励发光性能的影响.pdfVIP

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2017-09-15 发布于重庆
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退火处理对CsBrEu2+光激励发光性能的影响.pdf

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第 25 卷第 9 期无机材料学报 Vol. 25 No. 9 2010 年 9 月 Journal of Inorganic Materials Sep. , 2010 文章编号: 1000-324X(2010)09-0952-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2010.00952 退火处理对 CsBr:Eu2+光激励发光性能的影响 1,2 1 1 1 孟佳 , 赵丽丽 , 吴洁华 , 宋力昕 (1. 中国科学院上海硅酸盐研究所特种无机涂层重点实验室, 上海200050; 2. 中国科学院研究生院, 北京 100049) 摘要: 采用高温固相烧结法制备了 CsBr:Eu2+粉体, 系统研究了退火处理后粉体的光激励发光谱、吸收差谱和光激励发光衰减时间等, 发现退火处理能有效提高CsBr:Eu2+粉体光激励发光强度, 缩短其发光衰减时间. 重点分析了退火气氛与光激励发光性能之间的关系, 实验结果表明, 退火气氛中的氧取代溴离子 Br−成为替位氧离子 O− , 而氢 s 原子将进入间隙位成为间隙氢原子 Ho . 替位氧离子 O− 以及Ho 和 Ho 都是有效的电子俘获中心, 并且它们与空穴 i s i 2i 俘获中心的形成密切相关. 关键词: CsBr:Eu2+ ; 光激励发光; 退火; 电子/ 空穴俘获中心中图分类号: TN304 文献标识码: A Influence of Annealing Process on the Photostimulated Luminescence Properties 2+ of CsBr:Eu 1, 2 1 1 1 MENG Jia , ZHAO Li-Li , WU Jie-Hua , SONG Li-Xin (1. The key Laboratory of Inorganic Coating Materials, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shang- hai 200