锡薄膜等温氧化研究.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ， ， ， +$ ### ?71,+$N7,E/ ### S ／ ／ （ ）／ %###*)$####+$# %#%*#+ CWDCFUZ@VWC@VNVWC ####W804,F8:,@7;, S 锡薄膜等温氧化研究! ! 吴广明 王 珏 汤学峰 顾 牡 陈玲燕 沈 军 （同济大学波耳固体物理研究所，上海 ） ###$ （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$$ %’ %$$$ $ %( 采用电子束蒸发制备金属锡薄膜，将其在 — 温度范围内进行等温氧化，研究锡薄膜的热氧化动力学 # +##= 机制 采用台阶仪、扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪和 射线衍射仪等方法研究锡薄膜氧化过程中厚度、组分、结 , 构等演变 实验结果表明，在 — 温度范围内，锡膜氧化后氧化层按抛物线规律生长；转变活化能为 , # +##= #,)+ ；锡膜氧化受到氧扩散机制的控制 研究得到氧化层的生长首先从形成 相开始，随着氧化的深入， 相分 3? , @4A @4A 解形成@4A 相，最后转变为@4A 相的热氧化机理, ) + ： ； ； !## %’# ’ ’+(#B 射仪（ ）等方法，研究薄膜在 — 温度范 GH # +##= % 引 言 围内的氧化膜生长规律及其氧化机理, 金属锡薄膜的热氧化不仅可用以制备透明导电 实验过程 二氧化锡薄膜、气体传感器、太阳能电池等，而且还 可研究金属薄膜热氧化生长的动力学机制,@048/ 在不锈钢镀膜机上，采用电子束在气压低于 ［］ % J) 等人 报道了金属锡薄膜的氧化，研究发现在 I%# F/高真空中，蒸发金属锡颗粒（纯度为 — 下氧化的薄膜由导电的多晶 组 ）到清洁的载波片上，制备锡薄膜 基片与蒸 +# ##= @4A $$K$$L , ［］ 发源相距 ，蒸发速率控制在 —