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郑晓娟 等 : 生长温度对纳米 AlN 薄膜的表面形貌和结晶特性的影响 93 生长温度对纳米 AlN 薄膜的表面形貌和结晶特性的影响 郑晓娟 ,王 　娟 ,李善锋 ,张庆瑜 (大连理工大学 三束材料改性国家重点实验室 ,辽宁 大连 116024) ( ) 摘 　要 : 　采用射频 R F 反应磁控溅射方法制备了具 著增加薄膜中晶界的作用 , 因而会显著提高薄膜的力 有原子级平滑表面的纳米 AlN 薄膜 。利用傅立叶红 学性能 。此外 ,根据霍尔佩奇关系 , 晶粒尺度的减小 , ( ) ( ) 外光谱 F T IR 、透射电子显微镜 T EM 、原子力显微 可以明显提高材料的硬度 。因此 ,开展纳米 AlN 薄膜 ( ) ( ) 镜 A FM 、卢瑟福背散射 RB S 等分析方法对不同实 的研究 ,无论是对发展新型功能材料还是改善 AlN 薄 验条件下合成的 AlN 薄膜进行了表征 ,研究了不同沉 膜以及 AlN 基多层膜的力学性能 ,均具有重要的应用 ( ) 积温度 室温约 550 ℃ 下的AlN 薄膜的表面形貌特征 价值 。本文采用射频反应磁控溅射的方法制备了 AlN ( ) 和结晶特性 ,探讨了AlN 薄膜表面形貌的变化规律及 薄膜 ,利用傅立叶红外吸收谱 F T IR 、透射电子显微 ( ) ( ) 纳米薄膜的形成机制 。分析结果显示 :不同沉积温度 镜 T EM 、原子力显微镜 A FM 、卢瑟福背散射分析 ( ) 下合成的 AlN 薄膜均具有原子量级平滑的表面 ,薄膜 RB S 和椭偏仪等材料分析方法对不同沉积温度下的 ( ) 表面粗糙度 RM S 为 0 . 2 ～0 . 4 nm ,且不随沉积温度 AlN 薄膜的结晶特性和表面形貌进行了比较系统的研 的增加而发生明显变化 ; 薄膜的晶粒尺度为 20 ～30 究 ,探讨了沉积温度对薄膜生长特征影响的物理机制 。 nm ,薄膜的折射率随沉积温度的增加而增加 。 2 　实验方法 关键词 : 　氮化铝 ;磁控溅射 ;表面形貌 ;结晶特性 中图分类号 : 　T G115. 221 ; T G174 . 442 文献标识码 :A 2 . 1 　AlN 薄膜的制备 ( ) 文章编号 :100 1973 1 2005 0 109304 实验采用 R F 反应磁控溅射方法制备 AlN 薄膜 。