CoverStory封面故事湿法工艺在TSV等比例缩小中的应用.pdfVIP

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2017-09-15 发布于重庆
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CoverStory封面故事湿法工艺在TSV等比例缩小中的应用.pdf

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Cover Story TSV TSV3D CoO , TSV 3D IC PE-CVD iPVDALD 3D TSV dual-damascene TSV AR/ AR5:1 10:1 10:1 ECD 100m 10m100m ECD 20m Cu 5m TSV 1. [1] Parameter Value Unit Notes CMPTSV Isolation CTE 30 ppm/ºC TSV Dielectric constant 3 SiO2 = 4.2 Breakdown voltage 28 MV/cm SiO2 = 10 Capacitance density 0.13 fF/m2 Leakage current 15 nA/cm2 SiO = 10-20 2 1.6 nm SiO = 2nm 2 Substrate type 200 Ohm.cm Youngs modulus 3.4 GPa SiO2 = 107 Stress 10 MPa SiO = 100 2 Barrier Resistivity 25 Ohm.cm TiN = 100-250 TSV Rs uniformity 5 % Barrier property Same as TiN after 400ºC 2 hours Claudio Truzzi, Alchimer S.A., Massy, France Hardness 14.3 GPa TiN = 25 14 2011 Jun/Jul