铜在金电极表面的选择性化学镀富集的研究.pdfVIP

第 33卷 分析化学 ( FENX I HUAXU E) 　研究报告 第 5期 　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　 2005年 5月 Ch ine se Jou rnal of A nalytical Chem istry 623 ～626 铜在金电极表面的选择性化学镀富集的研究 邱 　健 　景粉宁　何丽君 　王春明 (兰州大学化学化工学院 ,兰州 730000) 摘 　要 　在具有催化还原活性的金电极表面 , 以水合肼为还原剂 ,在 pH 10. 5 酒石酸钾钠溶液中 ,通过化学镀 ( ) ( ) 方法 ,选择性地在金电极表面沉积了单层结构的铜膜 。用开路电位 时间谱技术 Op ～t 、循环伏安法 CV ( ) 和微分脉冲伏安法 DPV 表征了该溶液还原法对铜进行选择性富集的机理和效果 。证明在多种金属离子共 存的复杂溶液体系中 ,可以避免其它离子的干扰 ,使铜选择性地富集到金电极表面 。化学镀浴中富集到金电 极表面的单层铜膜溶出电流与 Cu2 + 的浓度在 3 ×10 - 6 ～1 ×10 - 4 mol/L 范围内呈线性关系 。该法已用于矿样 ( ) 中铜的还原富集 、分离和测定 ,分析结果与电感耦合等离子体发射光谱法 ICP /A ES 作了比较 ,结果满意 。 关键词 　铜离子 ,化学镀 , 自催化还原富集 ,金电极 , 伏安法 1　引　　言 化学镀又称无电镀 、自催化镀 ,它是利用一种还原剂 ,使溶液中某一特定种类的金属离子选择性地 ( ) 沉积到具有催化活性的镀件 S 或电极 表面 。因为施镀过程无须外接电源 ,不但操作简便 ,而且成本较 低 。化学镀的关键问题是当金属离子与还原剂在溶液中共存时 ,不能在溶液中发生沉积反应 ,也就是 “自相反应 ”,而要使反应在镀件表面完成即 “异相沉积反应 ”。这种方法多见于在电阻较高的半导体 、 塑料 、复杂构造件表面沉积金属 [ 1, 2 ] ,但以富集分离和分析应用为 目的的基础应用研究 , 尚未见报道 。 传统的溶出伏安法利用电沉积原理 ,能在较某一特定金属离子析出电位更负的条件下将痕量该金 属离子沉积于电极表面 , 以达到富集的目的。所以传统的溶出伏安法具有极高的灵敏度 。但由于共存 其他干扰离子也有可能在该特定金属离子电沉积条件下共同析出 ,导致溶出峰严重变形而发生干扰 。 本研究探讨了用具有催化活性的金电极作为金属基体 ,用化学镀的方法 ,使溶液中的 Cu2 + 选择性地 自 催化还原富集到金电极的表面 ,形成铜的单层薄膜 。用 Op ～t、CV 、D PV 等电化学技术系统表征了化学 镀铜时基体 溶液的界面状态 ,结合介质交换的方法研究了铜单层形成的条件以及将其用于分析化学研 究的可能性 。结果证明 ,在多种金属离子共存的复杂溶液体系中 ,该法可以避免其它离子的干扰 ,使铜 2 + 选择性地富集到金电极表面 ,是一种富集 、分离和测定混合溶液中 Cu 的新方法 。从理论和实践上发 展了针对不同金属离子的化学镀富集分离新方法 ,对分离 、分析化学的发展有潜在的重要意义 。