基片温度对氧化钒薄膜结构与电性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第26卷第6期 压 电 与 声 光 Vo1．26No．6 2004年12月 PIEZOELECTRICS8LACOUSTOOPTICS DeC．2004 文章编号：1004—2474(2004)06—0471—03 基片温度对氧化钒薄膜结构与电性能的影响 吴 淼，胡 明，温宇峰 (天津大学 电子信息工程学院，天津 300072) 摘 要：以vO 粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VO 薄膜，调节不同的 基片温度获得几组薄膜。运用x一射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同，薄 膜成分、物相以及表面形貌有明显差异。在基片温度为 200。C时所得薄膜的电阻温度系数 (TCR)达到一0．03／。C， 并发现基片温度越高，薄膜在室温附近的电阻率越低，电阻温度系数绝对值也越小。 关键词：五氧化二钒；真空蒸发；退火；VO 薄膜；基片温度；电阻温度系数 中图分类号：0484 文献标识码：A EffectsofSubstrateTemperatureon theStructureand ElectricPropertiesofVO Films W U M iao，HU M ing，W EN Yu—feng (SchoolofElectronicandInformationEngineering，TianjinUniversity，Tianjin300072，China) Abstract：VO thinfilmsarepreparedonglassbymeansofevaporationofVzO5powderandpostannealingin vacuum．Threedifferentthinfilmswillbemadebyadjustingthreedifferentsubstratetemperature，andtheTCR ofthesamplepreparedin200。Cisupto一0．03／。C．XRDandSEM techniqueareusedtostudythefihns．Wefind threefilmshavedifferentcomposition、phaseandmorphology．TheresistivityandTCR ofthefilm prepared in highersubstratetemperatureislower． Keywords：vanadium pentoxide；vacuum evaporation；annealing；VO films；substratetemperature；TCR 含有不同氧化钒成分的混合物薄膜，各种价态钒的 1 引言 含量不同对薄膜的性能产生明显的影响。本文利用 近十几年来 ，对氧化钒薄膜的研究H益深入，其 VO 粉末采用真空蒸发镀膜技术，在几种不同基片 原因是氧化钒薄膜独特的结构以及在电学、光学、物 温度下进行实验，结合真空退火还原的方法在玻璃 理化学等方面具有奇异的性质，应用前景广。钒是多 基片上得到 VO 薄膜，对其进行了X一射线衍射 价金属 ，能生成多种氧化物 [1]。在钒的氧化物 中 (XRD)和扫描 电子显微镜 (SEM)分析及 电阻温度 VO。和 VO 的光学和 电学性能随温度变化最明 系数测量，探讨了基片温度对结晶状态、微观形貌结 显，低温呈半导体相，在高温时呈金属相。特别是