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第28 卷 第7 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 28 No. 7
2013 年7 月 Journal of Inorganic Materials Jul., 2013
文章编号: 1000-324X(2013)07-0707-06 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2013.12492
外场下 NBT-KBT100x 压电薄膜畴变演化、
保持特性及印记的研究
朱 哲, 郑学军, 张丹书
(湘潭大学 材料与光电物理学院, 湘潭 411105)
摘 要: 采用金属有机物分解法制备了不同 K 含量的弛豫型压电薄膜(1-x)Na Bi TiO -xK Bi TiO (NBT-KBT
0.5 0.5 3 0.5 0.5 3
100x) 。利用压电力显微镜研究了外场条件下纳米级铁电畴翻转, 以及保持性能和印记失效。结果表明: (1)不同组分
中, NBT-KBT17 薄膜单畴态的晶粒个数最多。选取NBT-KBT17 薄膜分别测试了其面内极化分量和面外极化分量,
该薄膜的面内压电信号较强, 这说明薄膜在d31 模式下的压电响应明显。(2)选择NBT-KBT17 薄膜中较大尺寸的单
晶, 实现了对弛豫性铁电体的电畴写入。将其在大气环境下放置不同时间, 出现了退极化现象, 但总的畴态稳定,
表明其保持性能较好。(3)制备了NBT-KBT17 原理型薄膜电容器, 分别测试了加载作用前后NBT-KBT17 薄膜电容
器的相位和振幅滞后回线图。结果表明外加作用力使相位回线向右发生了一定的移动, 且振幅的蝶形曲线均在不同
方向上发生了偏移, 同时形状也发生了改变。最后, 利用空间电荷原理分析了外加力导致薄膜印记产生的机理。
关 键 词: 压电力显微镜; 畴翻转; 保持性; 印记
中图分类号: TQ174 文献标识码: A
Domain Switching, Retention and Imprint of NBT-KBT100x Piezoelectric
Thin Films under Different External Fields
ZHU Zhe, ZHENG Xue-Jun, ZHANG Dan-Shu
(Faculty of Materials and Optoelectronic Physics, Xiangtan University, Xiangtan 411105, China)
Abstract: MOD method was used to prepare (1-x)Na Bi TiO -xK Bi TiO (NBT-KBT100x) relaxor piezoelec-
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