分子束外延GaAs／／Si应变层的光致发光和光反射谱研究.pdfVIP

维普资讯 第 1l卷 第 7期 半 导 体 学 报 Vo1．I1，No．7 1990年 7月 CHlNESE JOURNAL OF sEMICONDUCTOI~$ Juv【． 1990 分子束外延 GaAs／／Si应变层的光致 发光和光反射谱研究 滕 达 庄蔚华 粱基本 李玉璋 (中国科学院半导体研究斫，北京) l98，年 5月 9日 到 研究了分子束外延 G*As／Sl光致发光谱的激发强度和温度依赖关系．确定出2十本征 发光蜂，分别对应于导带至 m』暑4-5和mJ宰士÷价带的复合．这种价带的移动和分 裂归困于由 G,IAs和 si的热膨胀系数不同昕引起的 GaAs层双轴张应力．还观测到4个非 本征发光峰，分别为导带至 m』暑-4÷ 碳受主态发光、可能与缺陷有关的发光以及可能由 Ma和 cu受主杂质引起的发光．室温下将 OaA~／Si和 C-aAs／O．At材料的光反射谱进行比 较，前者明显向低能移动约8meV，瘸涮到3个特征谱结构，与光致发光结果相一致． 主蕊词 O~As／Si，光致发光，光反射 一 、 gJ 言 GaAs／Si异质外延材料引起人们越来越多的重视和兴趣 ，这是 由于它不仅具有 si材 料的大面积、廉价、高热导和工艺成熟的优点，而且兼有 GaAs的高迁移串和用于制作发 光器件的特点． 因此分子柬外延 G~AslSi是将来在光电子和光通讯器伴方面很有吸引 力的材料．但是 由于 GaAs与 si的晶格失配率达 4 ，热膨胀系数也不同，将在 GaAs 外延层中导致高位错密度和应力．一些作者已用X光衍射、光致发光和光致发光激发谱 等研究了 GaAs／Si的晶体结构、应力和发光特性 ． 较早期的光致发光研究认为低温 下主峰是杂质发光 ，Zemon等 把光致发光与激发谱结合起来，首先提出高能端的两 个发光峰均为本征发光，并用晶格失配；1起的应变来解释价带分裂．近期 Stolz等 进 一 步研究了低能端的两个非本征发光，井分别指派为缺略束缚激子和缺陷至碳受主态的 发光． 本文摄道 GaAs／Si的光致发光谱和室温光调制反射光谱的研究结 果，对 外 延 GaA8层 的应变进行了分析． 二、 实 验 样品是在 MBERiber73~0系统中生长的，衬底为P型 si(O01)4。偏 向 [110]晶 ‘国家 自然科学基盎资助项 目 维普资讯 半 导 体 学 报 向，先生长一薄层 si，然后在 400~C生长几百A厚的无定形 GaAs，提高温 度 使 GaAs 变成单晶，接着在约 580~C下生长 2m厚 GaAs，生长速率为 l~mlh．光致发光实验以 Ar+激光器为激发源 ，样 品放置在可变温 (IO～300K)低温制冷器中，光探测系统采用 单光栅单色仪，s1阴极光 电倍增管和锁相放大器． 室温光反射谱以 ImwHeNe激光 器为泵浦光，以25W 碘鸨灯光经单色仪分光后的连续可调单色光为探测光束．为提高测 量信噪比，用 PIN 硅二极管代替光电倍增营作探测器．调 频率为 125 z． 三、实验结果及讨论 1．光致发光谱 图 1给出 GaAs／Si材料的低温变激发强度和奄温光致发光谱 ．在 11K低激发密度 (2．6W ／cm)下 ，出现 6个谱结构 ，由高能至低能分别记为 A—F峰．B峰 (L487eV，半 宽 13meV)随激发密度增加而不断增强，激发密度增至 35W ／cm 时，B峰已明显成为 主峰，其峰值位置基本不随激发密度的增加而移动．变温表明，B峰对温度变化不敏感， 200K时仍可见较强的B峰．在 11K