NIn共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究.pdfVIP

2013年5月 重庆师范大学学报(自然科学版) Mav2013 of Normal Science) V01．30No．3 第30卷第3期 JournalChongqingUniversity(Natural N—In共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究+ 赵永红1‘2，孔春阳1‘2，泰国平h2‘3，李万俊“2～，阮海波1’_3， 孟祥丹1～，卞 萍1‘2，徐 庆1～，张 萍1’2 (1．重庆师范大学物理与电子工程学院，光学工程重点实验室，重庆40133l； 2．重庆市光电功能材料重点实验室，重庆401331； 3．重庆大学物理学院．重庆401331) 摘要：采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备Zn()：In薄膜，以N离子注入的方式进行N掺杂，通过优化退火条件成 C退火20min获得性能良好的pIZn()：In-N薄膜，其空穴浓 功实现了Zn()：ln—N薄膜的p型转变。研究发现：在590 cm2·V1·s一、1．81 度、迁移率和电阻率分别为(1．01×lo”)cm一3、3．40 n·cm。结合XPS分析认为Zn()：In—N实现 时间变化而最终转变为n型导电，结合xPs和第一性原理计算认为薄膜中存在残余应力和(N!)t，施主缺陷是p型不稳定 的原因。 关键词：zn()：In—N薄膜；离子注入；p型掺杂；稳定性；第一性原理 中图分类号：()47 文献标志码：A Zn()是II—VI族直接宽禁带化合物半导体材料， 之一。正因为上述诸多因素，容易导致Zn()薄膜的p 呈六方纤锌矿结构，具有禁带宽度大(室温下为3．37型导电随着时间等因素的影响最终向n型转变。为了 eV)，激子束缚能高(60meV)等特点，因此在蓝／紫外提高N的固溶度和实现性能优异的p型Zn()薄膜， 发光二极管(I。EDs)、激光器(I。Ds)以及紫外探测器等 短波长光电子器件领域有着巨大的应用潜力_l“。n 公认的一种有效方法¨5。¨。对于(1n，N)共掺，I．i等 人[18。基于密度泛函理论认为(In，N)共掺时空穴的有 型和P型Zn()材料的高质量和可重复性是实现它在 电子领域广泛应用的先决条件。其中，通过掺杂A1、 Ga、In等施主掺杂剂很容易获得高质量的n型Zn()型导电。 材料∞。。然而，通常情况下受主掺杂剂的固溶度偏低 迄今为止。高质量的稳定的p型Zn()依然是亟需 且难以活化哺：，同时Zn()存在大量的本征施主缺陷解决的国际难题。为此，本文基于共掺杂理论，采用射 (如zn，、V。，)，导致高性能的p型Zn()薄膜难以实现。频磁控溅射制备了Zn()：In薄膜，通过N离子注入及 在受主掺杂元素中，N的原子半径和电子结构与 ()极其相似，且N易替代()位形成N。，的浅受主，因此XPS及透射谱等测试手段研究了不同的退火温度对 被人们认为是较理想的受主掺杂剂。目前国内外许多 薄膜结构及电学特性的影响，并分析讨论了Zn()：In— 研究者采用不同的制备工艺和N源已成功实现了N N薄膜p型转变机理及稳定性问题。 掺杂Zn()的p型转变一11j。但是薄膜中若存在间隙 1实验 位的N．，其极易与晶格位的N(N。，)形成较浅的施主 缺陷(N：)。会对N受主形成很强的补偿作用_12”j，另 采用射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上沉积 外薄膜中的残余压应力一1。也是p型难以稳定的因素 * 01—11 18：04 收稿日期：2012—12一17修回日期：2013 网络出版时间：2013—05—20