二模磁场中随机晶场作用混合自旋横向Ising模型的临界行为.pdfVIP

第27卷第4 常熟理工学院学报（自然科学） Vol.27No.4 2013年7月 JournalofChangshuInstituteTechnology（NaturalSciences） Jul.,2013 二模磁场中随机晶场作用混合 自旋横向Ising模型的临界行为 丁 直，晏世雷 （苏州大学 物理科学与技术学院，江苏 苏州 215006） 摘 要：在有效场理论和切断近似的框架内，研究了二模磁场中随机晶场作用的混合自旋横 向Ising 模型的临界行为. 在T-h相图中，晶场浓度对有序相的影响需要将二模磁场分段考虑；大 的晶场和适当的晶场浓度有利于二级重入相变现象；但横场对三临界点的作用值得更多研究. 在 T-D相图中，负晶场比例较大降低有序相，正晶场比例较大增大有序相；强二模磁场和横场都抑制 有序相，但强二模磁场有利于三临界点的出现，而横场抑制三临界点. 在T-Ω相图中，晶场和晶场 浓度对有序相范围有显著影响. 关键词：混合自旋横向Ising 模型；临界行为；随机晶场；二模磁场 中图分类号：O469 文献标识码：A 文章编号：1008-2794 （2013 ）04-0029-06 Jiang 等人研究了晶场作用自旋为1 的横向 Ising 模型，给出适用一般配位数的二级相变和三临界点表 达式，并考察了晶场对相变的影响[1] . 晶场作用的横向 Ising 模型是横向 Ising 模型（TIM ）和 Blume-Capel 模型（BCM ）的发展. 该模型中包含了近邻格点的交换相互作用、晶格排列引起的晶场作用，以及描述量子隧 穿效应的横场作用. 随后该模型受到了其他研究者的重视[2-5] . Yan 等人将晶场作用单自旋横向Ising 模型发 展为混合自旋系统[6] ，一个重要结论是：补偿温度不仅受晶场控制，还受横场影响. 其他研究者的工作已涉及 到系统中键、晶场和横场随机性的影响，获得很多有意义的结果[7-9] . 最近，Li 等人在不同横场作用的系统中 发现过饱和磁化行为[10] . 总的来说，随机性的引入给系统性质带来丰富的变化. 本文在有效场理论和切断近 似的框架内，研究简立方晶格情形下二模磁场中随机晶场作用的混合自旋横向 Ising 模型的临界行为. 1 理论推导 二模磁场中随机晶场作用的混合自旋横向 Ising 模型的哈密顿量为： 2 z z z x x z z H=-J σ S - D S -Ω σ -Ω S - hσ - hS （1） i j j ( )j i j i i j j ∑ ∑ ∑ ∑ ∑ ∑ i,j j i j i j 这里的格子由子格A 和子格B 相互嵌套而成，子格A 是自旋为1/2 的磁性原子，σiz 和σ 是z 方向和x 方ix 向的自旋矩